[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

公开了具有不同配置的接触结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：衬底；鳍结构，设置在衬底上；栅极结构，设置在鳍结构上；源极/漏极(S/D)区域，邻近栅极结构设置；接触结构，设置在S/D区域上；以及偶极子层，设置在三元化合物层和S/D区域之间的界面处。接触结构包括设置在S/D区域上的三元化合物层、设置在三元化合物层上的功函金属(WFM)硅化物层以及设置在WFM硅化物层上的接触插塞。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术

随着半导体技术的进步，对更高的存储容量、更快的处理系统、更高 的性能和更低的成本的需求不断增长。为了满足这些需求，半导体工业继 续按比例缩小半导体器件(诸如包括平面MOSFET和鳍式场效应晶体管 (finFET)的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET))的尺寸。这 种按比例缩小增加了半导体制造工艺的复杂性。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底；鳍结构，设置 在所述衬底上；栅极结构，设置在所述鳍结构上；源极/漏极(S/D)区域， 邻近所述栅极结构设置；接触结构，设置在所述源极/漏极区域上，其中， 所述接触结构包括设置在所述源极/漏极区域上的三元化合物层、设置在所 述三元化合物层上的功函金属(WFM)硅化物层和设置在所述功函金属硅 化物层上的接触插塞；以及偶极子层，设置在所述三元化合物层和所述源 极/漏极区域之间的界面处。

本发明的另一实施例提供了一种半导体器件，包括：栅极结构，设置 在第一鳍结构和第二鳍结构上；合并的源极/漏极(S/D)区域，设置在所 述第一鳍结构和所述第二鳍结构上；以及接触结构，设置在所述合并的源 极/漏极区域上，其中，所述接触结构包括设置在所述合并的源极/漏极区域 上的三元化合物簇、设置在所述三元化合物簇和所述合并的源极/漏极区域 上的功函金属(WFM)硅化物层以及设置在所述功函金属硅化物层上的接触插塞。

本发明的又一实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在衬 底上形成鳍结构；在所述鳍结构上形成源极/漏极(S/D)区域；在所述源 极/漏极区域上形成接触开口；在所述接触开口内形成掺杂的功函金属 (nWFM)硅化物层；在所述掺杂的功函金属硅化物层和所述源极/漏极区 域之间形成三元化合物层；以及在所述接触开口内形成接触插塞。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。

图1A至图1I示出了根据一些实施例的半导体器件的等距视图和截面 图。

图1J至图1L示出了根据一些实施例的具有接触结构的半导体器件的 器件特性。

图2A至图2E示出了根据一些实施例的半导体器件的等距视图和截面 图。

图3A至图3G示出了根据一些实施例的半导体器件的等距视图和截面 图。

图4A至图4C示出了根据一些实施例的半导体器件的等距视图和截面 图。

图5是根据一些实施例的用于制造具有接触结构的半导体器件的方法 的流程图。

图6A至图17B示出了根据一些实施例的在制造工艺的各个阶段处的 具有接触结构的半导体器件的截面图。

现在将参考附图描述说明性实施例。在附图中，相同的附图标记通常 表示相同、功能类似和/或结构类似的元件。除非另有说明，否则对具有相 同批注的元件的讨论彼此适用。

具体实施方式