[发明专利]半导体工艺设备及其冷却组件、冷却方法在审
申请号: | 202110807513.3 | 申请日: | 2021-07-16 |
公开(公告)号: | CN113556926A | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 陈旭阳 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H05K7/20 | 分类号: | H05K7/20;H01J37/248 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 工艺设备 及其 冷却 组件 方法 | ||
本发明提供一种冷却组件,包括温度感测装置、冷却装置和控制装置,控制装置通过温度感测装置获取半导体工艺设备中的电控装置的温度检测值,控制装置的处理器用于在温度检测值满足预设高温条件或电控装置运行时,控制冷却装置对电控装置进行冷却。在本方面中,控制装置的处理器能够在电控装置运行时、或者在电控装置的温度检测值满足预设高温条件时,控制冷却装置开始对电控装置进行冷却,从而仅在电控装置存在降温需求时对电控装置进行冷却,消除了电控装置温度较低时持续对电控装置进行多余的降温导致电控装置内部冷凝产生液滴的安全隐患,提高了半导体工艺设备的安全性。本发明还提供一种半导体工艺设备和一种冷却方法。
技术领域
本发明实施例涉及半导体工艺设备领域,具体地,涉及一种冷却组件、一种包括该冷却组件的半导体工艺设备、以及一种通过该冷却组件实现的冷却方法。
背景技术
在半导体工艺中,射频电源的性能对工艺效果存在至关重要的影响,半导体工艺设备使用的射频电源的功率一般为几百瓦到几千瓦,由于射频电源的输出功率较大,其输出为射频信号的能量以外的额外功以热量形式散发出去,极容易导致射频电源温度过高,烧坏某些温度敏感器件,因此需要对射频电源采取冷却措施。
现有技术中一般采用水冷方式为射频电源降温,然而,长期通水冷却虽然能避免过温发生,但是由于射频电源使用环境的温度、湿度等原因,可能会使射频电源内部产生结露现象,产生的水滴滴落至电路板上将造成短路,并进一步烧毁电源,造成巨额经济损失,甚至威胁射频电源周围的其他设备以及工作人员。
因此,如何提供一种能够根据射频电源的温控需求实时为射频电源降温的温控方案,成为本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明旨在提供一种冷却组件、半导体工艺设备和冷却方法,该冷却组件能够仅在电控装置存在降温需求时对电控装置进行冷却,提高半导体工艺设备的安全性。
为实现上述目的,作为本发明的一个方面,提供一种冷却组件,用于冷却半导体工艺设备中的电控装置,所述冷却组件包括温度感测装置、冷却装置和控制装置,所述控制装置通过所述温度感测装置获取所述电控装置的温度检测值,所述控制装置包括处理器,所述处理器用于在所述温度检测值满足预设高温条件或所述电控装置运行时,控制所述冷却装置对所述电控装置进行冷却。
可选地,所述控制装置包括至少一个温度比较模块,所述温度比较模块通过所述温度感测装置获取所述电控装置内部件的温度检测值,并比较各所述温度检测值和与其对应的预设温度值,所述处理器根据所述比较结果判断是否满足所述预设高温条件,其中,所述预设高温条件包括:至少一个所述温度检测值高于对应的预设温度值。
可选地,所述温度感测装置包括多个温度传感器,所述温度比较模块和所述温度传感器一一对应设置,多个所述温度传感器分别用于检测所述电控装置内的不同部件的温度。
可选地,所述控制装置包括或门电路,所述温度比较模块用于在所述温度检测值高于对应的预设温度值时,向所述或门电路发送温度标志信号;
所述或门电路基于所述温度标志信号和所述电控装置的启动标志信号,向所述处理器发送一过温标志信号,所述处理器用于在接收到所述过温标志信号时,控制所述冷却装置对所述电控装置进行冷却。
可选地,所述控制装置包括延时模块,所述延时模块用于在所述冷却装置运行中,且未接收到所述过温标志信号时,延迟预设时长后停止所述冷却装置运行。
可选地,所述冷却装置包括冷却液管路和设置在所述冷却液管路上的阀门,所述冷却液管路用于冷却所述电控装置,所述处理器用于控制所述阀门开启或关闭,以控制所述冷却装置启动或停止运行。
作为本发明的第二个方面,提供一种半导体工艺设备,包括电控装置,所述电控装置内设有冷却组件,所述冷却组件为前面所述的冷却组件。
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