[发明专利]一种MEMS传感器件及其制备方法、传感检测电路

权利要求书

1.一种MEMS传感器件，其特征在于，包括：

衬底层；

检测电路层，位于所述衬底层上，所述检测电路层包括传感电阻层；

分压电阻掺杂层，位于所述衬底层上，所述分压电阻掺杂层与所述检测电路层串联连接；

所述传感电阻层的电阻温度系数大于所述分压电阻掺杂层的电阻温度系数。

2.根据权利要求1所述的MEMS传感器件，其特征在于，所述传感电阻层具有正电阻温度系数，所述分压电阻掺杂层具有正电阻温度系数；

或者，所述传感电阻层具有正电阻温度系数，所述分压电阻掺杂层具有负电阻温度系数；

或者，所述传感电阻层具有负电阻温度系数，所述分压电阻掺杂层具有负电阻温度系数。

3.根据权利要求1所述的MEMS传感器件，其特征在于，所述检测电路层中具有贯穿所述检测电路层的开口；所述传感电阻层包围所述开口；

优选的，所述引线层的导电类型和所述传感电阻层的导电类型相同。

4.根据权利要求1或3所述的MEMS传感器件，其特征在于，

所述传感电阻层的数量为若干个，若干个所述传感电阻层相互分立；所述分压电阻掺杂层位于部分传感电阻层背向所述衬底层的一侧。

5.根据权利要求4所述的MEMS传感器件，其特征在于，所述检测电路层还包括：位于传感电阻层的侧部且与所述传感电阻层邻接的引线层；

所述MEMS传感器件还包括：位于所述分压电阻掺杂层两侧且与所述分压电阻掺杂层邻接的接触掺杂部；第一绝缘层，位于所述检测电路层背向所述衬底层一侧的表面；所述分压电阻掺杂层和所述接触掺杂部位于所述第一绝缘层背向所述压力检测电路层的一侧；第一导电连接件，位于部分所述引线层上，所述第一导电连接件贯穿所述第一绝缘层且与所述接触掺杂部连接。

6.根据权利要求5所述的MEMS传感器件，其特征在于，

所述分压电阻掺杂层的导电类型和所述接触掺杂部的导电类型相同；

优选的，所述接触掺杂部的材料包括掺杂的多晶硅；

优选的，所述接触掺杂部中导电离子的掺杂浓度为1E19/cm³-1E22/cm³。

7.根据权利要求1所述的MEMS传感器件，其特征在于，

所述分压电阻掺杂层的导电类型和所述传感电阻层的导电类型相同；

优选的，所述分压电阻掺杂层的导电类型和所述传感电阻层的导电类型均为P型；

优选的，所述传感电阻层的材料包括掺杂的单晶硅；

优选的，所述分压电阻掺杂层的材料包括掺杂的多晶硅；

优选的，所述传感电阻层中导电离子的掺杂浓度为1E14/cm³-1E22/cm³；

优选的，所述分压电阻掺杂层中导电离子的的掺杂浓度为1E14/cm³-1E18/cm³。

8.根据权利要求1所述的MEMS传感器件，其特征在于，

所述分压电阻掺杂层与所述检测电路层同层设置。

9.根据权利要求1所述的MEMS传感器件，其特征在于，所述衬底层包括：底层半导体层和位于底层半导体层表面的绝缘介质层；

所述检测电路层和分压电阻掺杂层位于所述绝缘介质层背向所述底层半导体层的一侧；

优选的，所述底层半导体层包括：位于绝缘介质层背向所述检测电路层一侧的感应膜层；支撑部，所述支撑部中具有通腔，所述支撑部位于所述感应膜层背向所述绝缘介质层的一侧；

优选的，所述通腔包括腔底面以及围绕所述腔底的腔侧壁；所述腔侧壁与所述腔底面之间的夹角为直角或钝角；

优选的，所述衬底层还包括：玻璃基板，所述玻璃基板设于所述支撑部背向所述感应膜层的一侧；所述玻璃基板和所述衬底层贴合使通腔形成封闭结构，或者，所述玻璃基板中具有槽孔，所述槽孔位于通腔的底部且与所述通腔贯通。