[发明专利]一种MEMS传感器件及其制备方法、传感检测电路

说明书

本发明提供一种MEMS传感器件及其制备方法、传感检测电路，MEMS传感器件包括：衬底层、检测电路层以及分压电阻掺杂层，所述检测电路层包括传感电阻层，分压电阻掺杂层与检测电路层串联连接。所述传感电阻层的电阻温度系数大于所述分压电阻掺杂层的电阻温度系数，进而使得检测电路层的输入电压与温度呈正相关。当温度升高的时候，进而检测电路层的输入电压得以提高，进而检测电路层输入电压产生的提升量补偿检测电路层随着温度升高的压电效应减弱的趋势，最终在高温的时候可以有效地避免所述MEMS传感器件的输出电压降低，在高温的时候有效的避免MEMS传感器件灵敏度的降低。

技术领域

本发明涉及传感器技术领域，具体涉及一种MEMS传感器件及其制备方法、传感检测电路。

背景技术

MEMS(微机电系统)压力传感器是发展最早，市场占有率极大的微型传感器，目前应用领域已经覆盖到了人们日常生产生活中的方方面面。而MEMS传感器中的核心器件为其中的MEMS敏感芯片，MEMS敏感芯片包括压阻式MEMS压力敏感芯片。

压阻式MEMS压力敏感芯片基于压阻效应制备而成，其优点为采用半导体工艺制备而成，体积小且批量生产的一致性好。压阻效应是指电阻阻值在应力作用下会发生改变。压阻式MEMS压力敏感芯片在单位压力变化下产生的输出电压改变即为灵敏度。灵敏度是MEMS敏感芯片最基本的性能参数，通常来说灵敏度越高芯片性能越好。随着传感器技术的发展，其应用范围也越来越广，其中不乏高温、高压、腐蚀性等恶劣场合的应用。传统的压阻式MEMS敏感芯片，其性能在很大程度上受到温度的影响，原因是压阻效应的效力会随着温度的改变而改变，导致灵敏度显著变化，影响芯片的输出对压力的标定。

然而，现有技术中的MEMS传感器在高温工作环境中的灵敏度较差。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于如何有效的避免MEMS传感器件在高温工作环境时的灵敏度降低。

本发明提供一种MEMS传感器件，包括：衬底层；检测电路层，位于所述衬底层上，所述检测电路层包括传感电阻层；分压电阻掺杂层，位于所述衬底层上，所述分压电阻掺杂层与所述检测电路层串联连接；所述传感电阻层的电阻温度系数大于所述分压电阻掺杂层的电阻温度系数。

可选的，所述传感电阻层具有正电阻温度系数，所述分压电阻掺杂层具有正电阻温度系数；或者，所述传感电阻层具有正电阻温度系数，所述分压电阻掺杂层具有负电阻温度系数；或者，所述传感电阻层具有负电阻温度系数，所述分压电阻掺杂层具有负电阻温度系数。

可选的，所述检测电路层中具有贯穿所述检测电路层的开口；所述传感电阻层包围所述开口。

可选的，所述引线层的导电类型和所述传感电阻层的导电类型相同。

可选的，所述传感电阻层的数量为若干个，若干个所述传感电阻层相互分立；所述分压电阻掺杂层位于部分传感电阻层背向所述衬底层的一侧。

可选的，所述检测电路层还包括：位于传感电阻层的侧部且与所述传感电阻层邻接的引线层；所述MEMS传感器件还包括：位于所述分压电阻掺杂层两侧且与所述分压电阻掺杂层邻接的接触掺杂部；第一绝缘层，位于所述检测电路层背向所述衬底层一侧的表面；所述分压电阻掺杂层和所述接触掺杂部位于所述第一绝缘层背向所述压力检测电路层的一侧；第一导电连接件，位于部分所述引线层上，所述第一导电连接件贯穿所述第一绝缘层且与所述接触掺杂部连接。

可选的，所述分压电阻掺杂层的导电类型和所述接触掺杂部的导电类型相同。

可选的，所述接触掺杂部的材料包括掺杂的多晶硅。

可选的，所述接触掺杂部中导电离子的掺杂浓度为1E19/cm3-1E22/cm3。

可选的，所述分压电阻掺杂层的导电类型和所述传感电阻层的导电类型相同。