[发明专利]用于提高可靠性的半导体封装在审

专利信息
申请号: 202110814055.6 申请日: 2021-07-19
公开(公告)号: CN114093828A 公开(公告)日: 2022-02-25
发明(设计)人: 尹汝勋;张衡善 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/488
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 倪斌
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 提高 可靠性 半导体 封装
【权利要求书】:

1.一种半导体封装,包括:

芯片级部分,包括半导体芯片;

中间级部分,在所述芯片级部分上;以及

焊球部分,在所述中间级部分上,其中所述焊球部分被配置为连接到电路基板,

其中,所述中间级部分包括:

布线焊盘层,在第一保护层上,所述第一保护层是多个保护层中的内保护层并且与所述芯片级部分直接相邻;

第二保护层,在所述第一保护层上并且包括暴露所述布线焊盘层的焊盘暴露孔,所述第二保护层是所述多个保护层中的中间保护层;

接线柱层,在所述布线焊盘层上的所述焊盘暴露孔中;

第三保护层,在所述第二保护层上并且包括接线柱暴露孔,所述接线柱暴露孔暴露所述接线柱层,所述第三保护层与所述多个保护层中的外保护层相对应,其中所述接线柱暴露孔的宽度或直接小于所述焊盘暴露孔的宽度或直径;以及

阻挡层,在所述接线柱层上的所述接线柱暴露孔中,

其中,所述焊球部分包括所述阻挡层上的焊球。

2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述接线柱层的宽度或直径小于所述阻挡层的宽度或直径。

3.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述接线柱暴露孔在所述接线柱层处的第一宽度或第一直径小于所述接线柱暴露孔在与所述焊球相邻的位置处的第二宽度或第二直径,并且所述阻挡层在所述阻挡层的第一表面处的第一宽度或第一直径小于所述阻挡层在所述阻挡层的与所述第一表面相对的第二表面处的第二宽度或第二直径。

4.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述第二保护层的弹性模量大于所述第三保护层的弹性模量。

5.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,在平面图中,所述接线柱层具有圆形或环形的单个连续结构。

6.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述接线柱层具有单个连续结构,在所述单个连续结构中,所述接线柱层的第一表面的宽度与所述接线柱层的与所述第一表面相对的第二表面的宽度相同。

7.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述接线柱层具有单个连续结构,在所述单个连续结构中,所述接线柱层的第一表面的宽度大于所述接线柱层的与所述第一表面相对的第二表面的宽度。

8.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述接线柱层包括多个子接线柱层,在平面图中,所述多个子接线柱层具有圆形形状并且沿着所述接线柱暴露孔的边缘布置。

9.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述接线柱层的与所述阻挡层接触的表面与所述第二保护层的表面共面。

10.一种半导体封装,包括:

半导体芯片;

第一保护层,在所述半导体芯片上;

再分布焊盘层,在所述第一保护层上;

第二保护层,在所述再分布焊盘层上并且包括焊盘暴露孔,所述焊盘暴露孔暴露所述再分布焊盘层;

接线柱层,在所述再分布焊盘层上的所述焊盘暴露孔中;

第三保护层,在所述接线柱层上并且包括接线柱暴露孔,所述接线柱暴露孔暴露所述接线柱层,其中,所述接线柱暴露孔小于所述焊盘暴露孔;

阻挡层,在所述接线柱层上的所述接线柱暴露孔中;以及

焊料层,在所述阻挡层上,

其中,所述第二保护层的弹性模量大于所述第三保护层的弹性模量。

11.根据权利要求10所述的半导体封装,其中,所述阻挡层从所述第三保护层中的所述接线柱暴露孔向外延伸,并且所述接线柱层的最大宽度或直径等于或小于所述阻挡层在所述第三保护层上的最小宽度或直径。

12.根据权利要求10所述的半导体封装,其中,所述第二保护层包括的材料的弹性模量大于或等于所述第一保护层的材料的弹性模量。

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