[发明专利]一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法

权利要求书

1.一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、在基片上覆盖种子层；

S2、对种子层光刻后进行金层图形层电沉积；

S3、对金层图形层光刻后覆盖进行Pt图形层；

S4、对Pt图形层光刻后进行金锡合金层电沉积，并进行干法蚀刻、切割。

2.根据权利要求1所述的一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法，其特征在于：所述S3步骤中，Pt图形层的厚度为5000-50000埃。

3.根据权利要求1所述的一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法，其特征在于：所述S3步骤中，Pt图形层通过电子束蒸镀、磁控溅射、电沉积三种方式中的一种制作。

4.根据权利要求1所述的一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法，其特征在于：所述S3步骤中，电沉积Pt图形层中电镀工艺温度为70-85℃，电流密度为1-3A/dm²。

5.根据权利要求4所述的一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法，其特征在于：所述S4步骤中，金锡合金层的外沿尺寸小于Pt图形层10-50um。

6.根据权利要求5所述的一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法，其特征在于：所述S4步骤中电沉积金锡合金层所用电镀液包括以下原料组分：金盐3～5g/L、金络合剂10～50g/L、锡盐4～15g/L、光亮剂0.1～1g/L、稳定剂3～15g/L、去离子水。

7.根据权利要求1所述的一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法，其特征在于：所述S4步骤中，电沉积金锡合金层中控制电镀工艺温度为40-55℃，电流密度为0.2-0.8A/dm²。

8.根据权利要求6所述的一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法，其特征在于：所述锡盐为锡酸钠。

9.根据权利要求1所述的一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法，其特征在于：所述种子层包括由基片向外依次设置的Ti金属层、Pt金属层和Au金属层。