[发明专利]一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法

说明书

本发明公开了一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法，包括以下步骤：S1、在基片上覆盖种子层；S2、对种子层光刻后进行金层图形层电沉积；S3、对金层图形层光刻后覆盖进行Pt图形层；S4、对Pt图形层光刻后进行金锡合金层电沉积，并进行干法蚀刻、切割。在金层图形层外先覆盖Pt图形层，进而使特制的金锡电镀液通过电沉积的方式覆盖在Pt图形层上形成稳定的金锡合金层，提高生产工艺的精准度，大大减小贵金属浪费，将金锡合金集成在薄膜电路上，可以大大缩小光模块的体积，提高集成度。

技术领域

本发明涉及光通信技术领域，特别是一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法。

背景技术

金锡合金广泛应用于光通信领域，随着光通信信号传输数据量的增加，对光模块中的光芯片数目集成度也越来越多。光芯片是通过集成在热沉中的金锡合金与热沉焊接在一起的，因此金锡合金的耐共晶时间就决定了热沉可集成光芯片的数量。

目前，现有技术中没有成熟的金锡合金薄膜集成电路制造工艺，现行采用的传统的电子束蒸镀工艺，生产成本高，工艺精度低，工艺稳定性差，生产周期长，环境污染等问题。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法。

本发明的目的通过以下技术方案来实现：

一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法，包括以下步骤：

S1、在基片上覆盖种子层；

S2、对种子层光刻后进行金层图形层电沉积；

S3、对金层图形层光刻后覆盖进行Pt图形层；

S4、对Pt图形层光刻后进行金锡合金层电沉积，并进行干法蚀刻、切割。

进一步的技术方案是，所述S3步骤中，Pt图形层的厚度为5000-50000埃。

更进一步的技术方案是，所述S3步骤中，Pt图形层通过电子束蒸镀、磁控溅射、电沉积三种方式中的一种制作。

更进一步的技术方案是，所述S3步骤中，电沉积Pt图形层中电镀工艺温度为70-85℃，电流密度为1-3A/dm²。

更进一步的技术方案是，所述S4步骤中，金锡合金层的外沿尺寸小于Pt图形层10-50um。

更进一步的技术方案是，所述S4步骤中电沉积金锡合金层所用电镀液包括以下原料组分：金盐3～5g/L、金络合剂10～50g/L、锡盐4～15g/L、光亮剂0.1～1g/L、稳定剂3～15g/L、去离子水。

更进一步的技术方案是，所述S4步骤中，电沉积金锡合金层中控制电镀工艺温度为40-55℃，电流密度为0.2-0.8A/dm²。

更进一步的技术方案是，所述锡盐为锡酸钠。

更进一步的技术方案是，所述种子层包括由基片向外依次设置的Ti金属层、Pt金属层和Au金属层。

本发明具有以下优点：

本申请通过在金层图形层外先覆盖Pt图形层，进而使特制的金锡电镀液通过电沉积的方式覆盖在Pt图形层上形成稳定的金锡合金层，提高生产工艺的精准度，大大减小贵金属浪费，将金锡合金集成在薄膜电路上，可以大大缩小光模块的体积，提高集成度。

附图说明

图1为本发明的工艺流程图。

具体实施方式