[发明专利]聚碳硅烷及其制备方法有效
申请号: | 202110815846.0 | 申请日: | 2021-07-19 |
公开(公告)号: | CN113429574B | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
发明(设计)人: | 王军 | 申请(专利权)人: | 王军 |
主分类号: | C08G77/60 | 分类号: | C08G77/60 |
代理公司: | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人: | 陈俊好 |
地址: | 410000 湖南省长*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅烷 及其 制备 方法 | ||
1.一种聚碳硅烷的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:以聚二甲基硅烷为原料,在惰性气氛下,对所述聚二甲基硅烷进行热解,获得聚硅烷;
S2:在惰性气氛下,对所述聚硅烷进行电子束辐照;所述电子束的束流密度为0.1~1.5kGy/s,辐照时间为5~60min;
S3:在惰性气氛下,对经过S2的聚硅烷进行热解重排聚合,自然冷却得到聚碳硅烷粗料;
S4:对所述聚碳硅烷粗料进行纯化处理,获得聚碳硅烷。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在步骤S1中,所述热解的温度为300~350℃。
3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S3具体为:
将经过S2的聚硅烷放入带热解重排聚合装置的反应釜中,在惰性气氛下对聚硅烷进行热解重排聚合。
4.如权利要求3所述的制备方法,其特征在于,在聚硅烷热解重排聚合过程中,所述反应釜内的温度为350~400℃,所述热解重排聚合装置内的温度为380~420℃;所述热解重排聚合的时间为2~8h。
5.如权利要求1~4任一项所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S1~S3中所述的惰性气氛为纯度99.999%的氮气或氩气。
6.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在步骤S4中,所述纯化处理具体为:
将聚碳硅烷粗料溶解于二甲苯中,过滤,常压蒸馏。
7.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述常压蒸馏为在惰性气氛下,300~350℃蒸馏1~3h。
8.一种聚碳硅烷,其特征在于,由权利要求1~7任一项所述制备方法制备得到。
9.如权利要求8所述的聚碳硅烷,其特征在于,所述聚碳硅烷的数均分子量在1500~2500之间,软化点高于150℃。
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