[发明专利]主被动器件垂直叠层嵌埋封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种主被动器件垂直叠层嵌埋封装结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：

提供用作第一封装层的基板（100），所述基板（100）包括第一介质材料（110）以及嵌埋于所述第一介质材料（110）的第一牺牲金属块（120）；

将所述基板（100）作为前一级结构体，进行中间层和封装层加工，以得到次级半成品，其中，

所述中间层的加工步骤包括：在所述前一级结构体上加工第M中间图形层，所述第M中间图形层包括第M特征金属块，所述第M特征金属块覆盖于前一级的牺牲金属块，且所述第M特征金属块的边缘区域设置有多个空腔部，所述第M特征金属块的边缘区域用于表征在所述第M特征金属块投影于所述前一级的牺牲金属块的情况下，所述第M特征金属块超出所述前一级的牺牲金属块的区域；在所述中间图形层上进行层压和减薄处理，以得到中间介质层，所述中间介质层位于所述空腔部内的部分形成支撑部（230），M为正整数；

所述封装层的加工步骤包括：在所述中间介质层上加工第N封装层，所述第N封装层包括第N+1介质材料以及嵌埋于所述第N+1介质材料的第N+1牺牲金属块，所述第N+1牺牲金属块覆盖于前一级的特征金属块，N为正整数；

对所有的牺牲金属块和所有的特征金属块进行蚀刻处理，以得到至少两个封装腔（500），以及在相邻的所述支撑部（230）之间形成导流槽（231）；

在每个所述封装腔（500）内贴装对应的电子元器件（600），其中，至少一个所述电子元器件（600）承托于对应的所述支撑部（230）并保留所述导流槽（231）以用作封装通道；

采用塑封材料（530）通过热压的方式对所述至少两个封装腔（500）进行封装处理。

2.根据权利要求1所述的主被动器件垂直叠层嵌埋封装结构的制作方法，其特征在于，所述基板（100）还包括嵌埋于所述第一介质材料（110）的第一导通柱（130），所述中间层的加工步骤中，所述第M中间图形层还包括第M导通连接柱，所述第M导通连接柱与前一级的导通柱的位置对应，所述封装层的加工步骤中，所述第N+1封装层还包括嵌埋于所述第N+1介质材料的第N+1导通柱，所述第N+1导通柱与前一级的导通连接柱的位置对应。

3.根据权利要求1所述的主被动器件垂直叠层嵌埋封装结构的制作方法，其特征在于，还包括步骤：

将所述次级半成品作为前一级结构体，进行所述中间层和所述封装层加工，直至满足叠层要求。

4.根据权利要求1所述的主被动器件垂直叠层嵌埋封装结构的制作方法，其特征在于，所述在每个所述封装腔（500）内贴装对应的电子元器件（600），包括步骤：

在所述基板（100）相对于所述中间图形层的一面且与所述封装腔（500）对应的位置加工一临时承载面；

将第一个所述电子元器件（600）贴装在所述临时承载面上；

将下一个所述电子元器件（600）贴装在前一个所述电子元器件（600）的上方，且承托于对应的所述支撑部（230）。

5.根据权利要求4所述的主被动器件垂直叠层嵌埋封装结构的制作方法，其特征在于，所述在每个所述封装腔（500）内贴装对应的电子元器件（600），还包括步骤：

通过银浆或DAF材料对所述电子元器件（600）进行固晶。

6.根据权利要求1所述的主被动器件垂直叠层嵌埋封装结构的制作方法，其特征在于，所述对所述至少两个封装腔（500）进行封装处理，包括步骤：

在最后一层所述封装层上进行塑封材料（530）叠层，得到叠层半成品；

通过热压的方式对所述叠层半成品进行压合。

7.根据权利要求1至6任意一项所述的主被动器件垂直叠层嵌埋封装结构的制作方法，其特征在于，所述对所述至少两个封装腔（500）进行封装处理，之后还包括步骤：

对所述封装处理后得到的半成品进行减薄处理，以得到第一半成品；

在所述第一半成品的表面加工表面线路层，所述表面线路层包括多根走线（710），多根所述走线（710）分别与对应的所述电子元器件（600）的端子连接。