[发明专利]印记抑制方法

权利要求书

1.一种印记抑制方法，应用于铁电存储器的制造，其特征在于，包括：

在铁电存储器测试完成之后，由所述铁电存储器的控制电路向所述铁电存储单元施加抑制电压，以抑制所述铁电存储单元中印记的产生，其中，所述抑制电压与所述铁电存储单元的写操作电压互为反向电压，且所述抑制电压大于或等于所述铁电存储单元的矫顽电压，且小于所述写操作电压。

2.根据权利要求1所述的印记抑制方法，其特征在于，所述抑制电压为所述写操作电压的二分之一。

3.根据权利要求1所述的印记抑制方法，其特征在于，所述控制电路包括铁电存储单元参数寄存器和数字稳压电路，所述铁电存储单元参数寄存器根据接收到的所述铁电存储器的操作指令输出铁电存储器状态参数信号，所述数字稳压电路依据所述铁电存储单元参数寄存器输出的铁电存储器状态参数信号将外部电压信号转换成施加在所述铁电存储单元上的所述写操作电压或所述抑制电压。

4.根据权利要求3所述的印记抑制方法，其特征在于，所述铁电存储器状态参数信号为数字信号，不同所述数字信号代表不同的控制命令，所述数字稳压电路依据不同的所述数字信号将外部电压信号转变为不同所述写操作电压或所述抑制电压。

5.根据权利要求1所述的印记抑制方法，其特征在于，所述写操作电压为所述铁电存储器在测试时，由所述铁电存储器的控制电路施加在所述铁电存储单元上的电压。

6.根据权利要求1所述的印记抑制方法，其特征在于，所述在铁电存储器测试完成之后还包括向所述铁电存储单元内写入数据，所述写操作电压为向所述铁电存储单元内写入数据时，由所述铁电存储器的控制电路施加在所述铁电存储单元上的电压。

7.根据权利要求5或6所述的印记抑制方法，其特征在于，所述测试和所述向所述铁电存储单元内写入数据均包括：

由所述铁电存储器的控制电路向所述铁电存储单元的字线连接端施加导通电压，以选通所述铁电存储单元；

由所述铁电存储器的控制电路向所述铁电存储单元的位线连接端施加所述写操作电压，并使所述铁电存储单元的板线连接端接地，以向所述铁电存储单元中写入数据1。

8.根据权利要求7所述的印记抑制方法，其特征在于，所述由所述铁电存储器的控制电路向所述铁电存储单元施加抑制电压包括：

由所述铁电存储器的控制电路向所述铁电存储单元的字线连接端施加导通电压，以选通所述铁电存储单元；

由所述铁电存储器的控制电路向所述铁电存储单元的板线连接端施加所述抑制电压，并使所述铁电存储单元的位线连接端接地。

9.根据权利要求5或6所述的印记抑制方法，其特征在于，所述测试和所述向所述铁电存储单元内写入数据均包括：

由所述铁电存储器的控制电路向所述铁电存储单元的字线连接端施加导通电压，以选通所述铁电存储单元；

由所述铁电存储器的控制电路向所述铁电存储单元的板线连接端施加所述写操作电压，并使所述铁电存储单元的位线连接端接地，以向所述铁电存储单元中写入数据0。

10.根据权利要求9所述的印记抑制方法，其特征在于，所述由所述铁电存储器的控制电路向所述铁电存储单元施加抑制电压包括：

由所述铁电存储器的控制电路向所述铁电存储单元的字线连接端施加导通电压，以选通所述铁电存储单元；

由所述铁电存储器的控制电路向所述铁电存储单元的位线连接端施加所述抑制电压，并使所述铁电存储单元的板线连接端接地。

11.根据权利要求1所述的印记抑制方法，其特征在于，所述抑制电压的脉冲宽度小于或等于所述写操作电压的脉冲宽度。

12.根据权利要求1所述的印记抑制方法，其特征在于，所述铁电存储器的测试为封装之前进行的测试、封装之后进行的测试中的任意一种。