[发明专利]印记抑制方法

说明书

本发明提供了一种印记抑制方法，应用于铁电存储器的制造，包括在铁电存储器测试完成之后，由所述铁电存储器的控制电路向所述铁电存储单元施加抑制电压，以抑制所述铁电存储单元中印记的产生，提高铁电存储器的性能，并且通过铁电存储器的内部电路实现，无需外接电路，降低了检测成本，其中，所述抑制电压与所述铁电存储单元的写操作电压互为反向电压，且所述抑制电压大于或等于所述铁电存储单元的矫顽电压，且小于所述写操作电压。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种印记抑制方法。

背景技术

铁电存储器在写入数据的状态(强电介质膜极化状态)通过长时间放置，或在铁电存储器上写入数据的状态下强电介质膜暴露在高温的情况下，可能会在铁电存储器内产生印记。

公开号为CN1383210A的中国专利公开了一种强电介质存储器，通过在铁电存储器外添加印记抑制部来抑制印记的产生，由于添加了额外电路印记抑制部，增加了芯片的面积，增加了成本。

因此，有必要提供一种新型的印记抑制方法以解决现有技术中存在的上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种印记抑制方法，抑制铁电存储单元中印记的产生，提高铁电存储器的性能。

为实现上述目的，本发明的所述印记抑制方法，应用于铁电存储器的制造，包括：

在铁电存储器测试完成之后，由所述铁电存储器的控制电路向所述铁电存储单元施加抑制电压，以抑制所述铁电存储单元中印记的产生，其中，所述抑制电压与所述铁电存储单元的写操作电压互为反向电压，且所述抑制电压大于或等于所述铁电存储单元的矫顽电压，且小于所述写操作电压。

所述印记抑制方法的有益效果在于：铁电存储器测试完成之后，由所述铁电存储器的控制电路向所述铁电存储单元施加抑制电压，以抑制所述铁电存储单元中印记的产生，提高铁电存储器的性能，并且通过铁电存储器的内部电路实现，无需外接电路，降低了检测成本。

优选地，所述抑制电压为所述写操作电压的二分之一。

优选地，所述控制电路包括铁电存储单元参数寄存器和数字稳压电路，所述铁电存储单元参数寄存器根据接收到的所述铁电存储器的操作指令输出铁电存储器状态参数信号，所述数字稳压电路依据所述铁电存储单元参数寄存器输出的铁电存储器状态参数信号将外部电压信号转换成施加在所述铁电存储单元上的所述写操作电压或所述抑制电压。

进一步优选地，所述铁电存储器状态参数信号为数字信号，不同所述数字信号代表不同的控制命令，所述数字稳压电路依据不同的所述数字信号将外部电压信号转变为不同所述写操作电压或所述抑制电压。

优选地，所述写操作电压为所述铁电存储器在测试时，由所述铁电存储器的控制电路施加在所述铁电存储单元上的电压。

优选地，所述在铁电存储器测试完成之后还包括向所述铁电存储单元内写入数据，所述写操作电压为向所述铁电存储单元内写入数据时，由所述铁电存储器的控制电路施加在所述铁电存储单元上的电压。其有意效果在于：便于在丢失测试写操作电压的情况下向铁电存储单元施加抑制电压。

进一步优选地，所述测试和所述向所述铁电存储单元内写入数据均包括：

由所述铁电存储器的控制电路向所述铁电存储单元的字线连接端施加导通电压，以选通所述铁电存储单元；

由所述铁电存储器的控制电路向所述铁电存储单元的位线连接端施加所述写操作电压，并使所述铁电存储单元的板线连接端接地，以向所述铁电存储单元中写入数据1。

进一步优选地，所述由所述铁电存储器的控制电路向所述铁电存储单元施加抑制电压包括：

由所述铁电存储器的控制电路向所述铁电存储单元的字线连接端施加导通电压，以选通所述铁电存储单元；