[发明专利]抑制锡晶须生长的后处理剂及其制备方法有效
| 申请号： | 202110820003.X | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN113564653B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 孙沈良;黄海宾 | 申请（专利权）人： | 海宁市科泰克金属表面技术有限公司 |
| 主分类号： | C25D5/48 | 分类号： | C25D5/48;C25D3/32 |
| 代理公司： | 嘉兴海创专利代理事务所(普通合伙) 33251 | 代理人： | 王曦 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抑制 须生 处理 及其 制备 方法 | ||
1.一种抑制锡晶须生长的后处理剂，其特征在于，包括如下按质量百分数计的各组分：
0.1-20wt％长链烷烃基亚磷酸，其碳原子数不少于4；
0.1-20wt％长链烷烃基亚磷酸酯，其碳原子数不少于4；
余量为高沸点烷烃溶剂。
2.根据权利要求1所述的抑制锡晶须生长的后处理剂，其特征在于，所述长链烷烃基亚磷酸为N-十八烷基亚磷酸。
3.根据权利要求2所述的抑制锡晶须生长的后处理剂，其特征在于，所述长链烷烃基亚磷酸酯为三(N-十八烷基)亚磷酸酯。
4.根据权利要求3所述的抑制锡晶须生长的后处理剂，其特征在于，所述N-十八烷基亚磷酸与三(N-十八烷基)亚磷酸酯的质量为比为(1-1.5):(2-2.5)。
5.根据权利要求4所述的抑制锡晶须生长的后处理剂，其特征在于，所述烷烃溶剂为ISOPAR G，其沸点大于60℃。
6.根据权利要求5所述的后处理剂的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、将N-十八烷基亚磷酸按照一定质量比加入ISOPAR G并混合搅拌均匀；
S2、在S1中的溶液中，按质量比加入一定量的三(N-18烷基)亚磷酸酯，控制温度并充分搅拌；
S3、将S2中的溶液过滤；
S4、对S3中的组合物成品进行包装。
7.根据权利要求6所述的后处理剂的制备方法，其特征在于，S2中搅拌温度控制在10-30℃，搅拌时间为2-4h。
8.根据权利要求6所述的后处理剂的制备方法，其特征在于，S3中溶液过滤精度为1-10μm。
9.根据权利要求1-4中任一一项所述的后处理剂的的使用方法，其特征在于，后处理剂的使用温度为10-30℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海宁市科泰克金属表面技术有限公司，未经海宁市科泰克金属表面技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110820003.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种风电场技术改造需求系统性评估预测方法
- 下一篇：减震器轴承部件热处理方法
