[发明专利]一种半导体晶圆保护撕膜结构及操作方法

说明书

本发明公开了一种半导体晶圆保护撕膜结构，包括有工作台与撕膜仓，所述撕膜仓设置于所述工作台的上方，用于粘撕半导体圆晶保护膜。本发明中，两个压辊呈同向转动，用于挤压并协助条形传送带上的半导体晶圆移动，压辊与转辊表面套接的胶带，可以对挤压的半导体晶圆保护膜进行粘接，胶带与压辊同向转动，但胶带粘接的半导体晶圆保护膜可以被胶带粘接着向上移动，两个压辊使得半导体晶圆在条形传送带上横向，从而达到将其半导体晶圆保护膜与半导体晶圆拉扯揭开，加工效率块，可以对半导体晶圆进行连续撕膜作业，并通过液压杆的带动，预先调节压辊的高度，后期也无需进行高度调整，防止压辊因频繁调节，从而出现调节误差，对半导体晶圆的挤压损坏。

技术领域

本发明涉及半导体撕膜设备技术领域，尤其是一种半导体晶圆保护撕膜结构及操作方法。

背景技术

晶圆是指制作硅半导体积体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅，高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅，硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆，半导体晶圆在存储过程中，需要在其表面覆盖一层PET透明材质保护膜，用来放置半导体晶圆表面出现摩擦刮花，再对半导体晶圆加工前，需要将其表面保护膜揭开。

正常的工作流程为：将带有PET透明材质保护膜的半导体晶圆放置输送带上，将其移动至撕膜装置下，撕膜装置通常是为横向排布并上下错开的两个导辊，较低导辊与输送带同向转动，用于向下挤压与传输半导体晶圆，错开较高的导辊与输送带呈反向转动，贴合在半导体晶圆的表面，对其表面保护膜进行反向搓动，从而将其保护膜撕开。

在上述半导体晶圆撕膜的过程中，对较高反向转动的导辊高度，有非常高的精准要求，反向导辊过高，无法将其保护膜撕开，高度过低，反向转动的导辊易对半导体晶圆表面造成搓伤，存在很大的弊端，使得撕膜过程中，会出现一批残次的半导体晶圆，且反向导辊撕开的保护膜易粘贴在反向导辊表面，在反向导辊对下个半导体晶圆搓动撕膜的过程中，保护膜表面光滑，造成无法撕膜的情况，还需人工手动清理。

为此，我们提出一种半导体晶圆保护撕膜结构及操作方法解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体晶圆保护撕膜结构及操作方法，以解决上述背景技术中提出现有的半导体晶圆撕膜设备，撕膜的过程中，对反向转动的导辊高度，有非常高的精准要求，反向导辊过高，无法将其保护膜撕开，高度过低，反向转动的导辊易对半导体晶圆表面造成搓伤，存在很大的弊端，使得撕膜过程中，会出现一批残次的半导体晶圆，且反向导辊撕开的保护膜易粘贴在反向导辊表面，在反向导辊对下个半导体晶圆搓动撕膜的过程中，保护膜表面光滑，造成无法撕膜的情况，还需人工手动清理的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种半导体晶圆保护撕膜结构，包括有工作台与撕膜仓，所述撕膜仓设置于所述工作台的上方，用于粘撕半导体圆晶保护膜，所述撕膜仓内腔一侧设置有集料仓，用于收集所述撕膜仓粘撕的半导体晶圆保护膜，并用于对撕膜仓涂抹粘撕作业用粘胶，所述工作台上端通过转轴等距安装有若干驱动辊，所述若干驱动辊表面套接设置有由前到后依次等距布置的多个条形传送带，所述工作台与所述撕膜仓之间固定有若干支撑杆。