[发明专利]光电元件

说明书

本发明公开一种光电元件，包括半导体叠层，其包括第一半导体层、活性层位于第一半导体层上以及第二半导体层位于活性层上；电流阻挡区，形成于第二半导体层上且包括第一衬垫部；第一开口，形成于第一衬垫部中并将第一衬垫部分割成多个部分；透明导电层，形成于电流阻挡区上及半导体叠层的表面上，且透明导电层包括第二开口曝露出第一开口；以及第一电极，形成于透明导电层上，包含第一焊垫电极位于第一衬垫部上；其中第一焊垫电极通过第一开口及第二开口接触第二半导体层。

本申请是中国发明专利申请(申请号：201810144931.7，申请日：2018年02月12日，发明名称：光电元件)的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种光电元件，更详言之，涉及一种具有均匀电流扩散与改善亮度的发光元件。

背景技术

固态发光元件中的发光二极管(LEDs)具有具低耗电量、低产热、寿命长、耐摔、体积小、反应速度快以及稳定发光波长的良好光电特性等特点，故已被广泛地应用于家居装置、指示灯及光电产品等。随着光电技术的发展，固态发光元件在发光效率、操作寿命以及亮度方面有相当大的进步，发光二极管可预期成为未来照明装置的主流。

现有的发光二极管包含一基板、形成于基板上的一n型半导体层、一活性层及一p型半导体层、以及分别形成于p型/n型半导体层上的p、n-电极。当经由电极对发光二极管输入一特定值的操作电压时，来自p型半导体层的空穴及来自n型半导体层的电子在活性层内结合以放出光。对于亮度及操作电压的改善发光二极管的重要课题。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种光电元件，包括半导体叠层，其包括第一半导体层、活性层位于第一半导体层上以及第二半导体层位于活性层上；电流阻挡区，形成于第二半导体层上且包括第一衬垫部；第一开口，形成于第一衬垫部中并将第一衬垫部分割成多个部分；透明导电层，形成于电流阻挡区上及半导体叠层的表面上，且透明导电层包括第二开口曝露出第一开口；以及第一电极，形成于透明导电层上，包含第一焊垫电极位于第一衬垫部上；其中第一焊垫电极通过第一开口及第二开口接触第二半导体层。

附图说明

图1A至1C为本发明的一实施例的光电元件图；

图2A至2H分别为本发明的不同实施例，通过透明导电层的开口观看电流阻挡区的俯视图；

图3A至图3E分别为本发明的不同实施例的电流阻挡区与透明导电层的部分剖视图；

图4为本发明的一实施例的光电元件俯视图；

图5为本发明的一实施例的光电元件俯视图；

图6为一表格，其是本发明的实施例的两光电元件与作为对照例的光电元件的测试数据图；

图7为本发明的一实施例的光电装置图；以及

图8为本发明的一实施例的光电装置图。

符号说明

1、2、3 光电元件

4、5 发光装置

10 基板

12 半导体叠层

121 第一半导体层

122 第二半导体层

123 活性层

14 第二电极

141 第二焊垫电极

142 第二指状电极

16 第一电极

161 第一焊垫电极

162 第一指状电极