[发明专利]基座及基质加工设备在审

专利信息
申请号: 202110823500.5 申请日: 2016-07-28
公开(公告)号: CN113555270A 公开(公告)日: 2021-10-26
发明(设计)人: 森幸博;梅尔文·韦尔巴斯 申请(专利权)人: ASMIP控股有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;C23C16/46;C23C16/455;C23C16/52
代理公司: 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 代理人: 林聪源
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摘要:
搜索关键词: 基座 基质 加工 设备
【说明书】:

基座包括板状部件、用于加热所述板状部件的第一部的第一加热器、用于加热所述板状部件的第二部的第二加热器以及用于使所述第一部和所述第二部在所述板状部件的上表面侧彼此绝热的绝热部。

本申请为申请号为“2016106073679”、发明名称为“基座及基质加工设备”的发明创造的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种支撑基质的基座并涉及一种设置有基座的基质加工设备。

背景技术

US6469283B1公开了一种用于向具有多个区域的基质支撑台的其中一个区域施加100%的电力而向其它区域施加50%的电力的装置。

在一些半导体或液晶制造加工中,当加工基质时有意地使基质的温度不一致。例如,在以下情况下,在使基质的温度不一致的同时在基质上进行薄膜成形,因此使得形成在基质上的薄膜的膜厚不一致,或者使薄膜质量不一致。从实现这样的加工的观点,优选在基质中的某些不同位置之间创建明确的温度差。

虽然US6469283B1中公开的基质支撑台能够分别地加热多个区域,但多个区域在基质支撑台的上表面中彼此接合。基质支撑台(基座)主要由具有好的导热性的材料制成,例如,铝、氮化铝(AlN)、碳或者碳化硅(SiC)。在US6469283B1中公开的基质支撑台中,因此,从一个地带向另一个地带的热传递是主动的并且不能在基质中的某些不同位置之间创建明确的温度差。

发明内容

鉴于上述问题,本发明的目标为提供一种能够在基座中创建明确的温度差的基座以及设置有所述基座的基质加工设备。

本发明的特征和优势可总结如下。

根据本发明的一个方案,基座包括板状部件、用于加热板状部件的第一部的第一加热器、用于加热板状部件的第二部的第二加热器以及用于使第一部和第二部在板状部件的上表面上彼此绝热的绝热部。

根据本发明的另一个方案,基质加工设备包括具有板状部件的基座、用于加热板状部件的第一部的第一加热器、用于加热板状部件的第二部的第二加热器以及用于使第一部和第二部在板状部件的上表面上彼此绝热的绝热部,容纳有基座的腔室以及附接至腔室的侧表面的排气部件。第一部为包括板状部件的外边缘的部分,第二部为包括板状部件的外边缘的部分,而如在平面中观察到的,排气部件与第一部彼此相对。

根据本发明的另一个方案,基质加工设备包括具有板状部件的基座、用于加热板状部件的第一部的第一加热器、用于加热板状部件的第二部的第二加热器以及用于使第一部和第二部在板状部件的上表面侧上彼此绝热的绝热部,容纳有基座的腔室以及附接至腔室的侧表面的闸阀。第一部为包括板状部件的外边缘的部分,第二部为包括板状部件的外边缘的部分,而如在平面中观察到的,闸阀与第二部彼此相对。

本发明的其它和进一步的目的、特征以及优势将从下面的描述中更充分地呈现。

附图说明

图1为根据第一实施例的基质加工设备的剖视图;

图2为板状部件的平面图;

图3为示出了基座的温度控制方法的图解;

图4为示出了放置在板状部件上的基质的图解;

图5为示出了基座表面的温度的图解;

图6为根据第二实施例的基座的平面图;

图7为根据第三实施例的基质加工设备的平面图;

图8为根据第四实施例的基质加工设备的平面图;

图9为根据第五实施例的基座和其它构件的剖视图;

图10为根据第六实施例的基座的剖视图;

图11为根据第七实施例的基座和其它构件的剖视图;

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