[发明专利]半导体存储器件和包括其的存储器系统在审
申请号: | 202110823760.2 | 申请日: | 2021-07-21 |
公开(公告)号: | CN114974344A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 金雄来;洪德和;黄正太 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406;G11C8/14;G06F13/16;G06F1/12 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 李少丹;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 器件 包括 存储器 系统 | ||
1.一种存储器系统,包括:
存储器控制器,适于:
当激活命令的输入次数达到特定数量时,生成正常刷新命令和目标刷新命令,以及
提供所述激活命令、所述正常刷新命令、所述目标刷新命令和地址;以及
存储器件,包括多个存储体并适于:
响应于所述目标刷新命令,对至少一个存储体的一个或更多个字线执行目标刷新操作,
通过在周期性间隔内基于所述地址而对每个存储体的目标刷新命令的输入次数进行计数来确定每个存储体的行锤击风险级别,以及
响应于所述正常刷新命令,执行与每个存储体的行锤击风险级别相对应的隐藏刷新操作。
2.如权利要求1所述的存储器系统,其中,所述存储器控制器包括:
命令计数器,适于通过对所述激活命令的输入次数进行计数来生成计数值;以及
计数器分析器,适于:在所述计数值达到特定值时,在按定期间隔发出设定数量的所述正常刷新命令之后,发出所述目标刷新命令。
3.如权利要求1所述的存储器系统,其中,所述存储器件包括:
刷新计数电路,其根据振荡信号而被初始化,并适于通过基于所述地址中包括的存储体地址对每个存储体的目标刷新命令的输入次数进行计数来生成多个存储体计数信号;
风险分析电路,适于:根据所述存储体计数信号来分析每个存储体的行锤击风险,并生成多个周期控制信号,每个周期控制信号具有根据所述分析的结果而确定的激活区间;
存储体控制电路,适于:在所述正常刷新命令被输入时,根据所述存储体地址和所述周期控制信号来输出多个隐藏刷新存储体信号;
刷新解码器,适于通过根据所述目标刷新命令而对所述存储体地址解码来生成多个目标刷新存储体信号;以及
行控制电路,适于:根据所述隐藏刷新存储体信号或所述目标刷新存储体信号来选择至少一个存储体,以及根据目标地址来刷新所选择的存储体的一个或更多个字线。
4.如权利要求3所述的存储器系统,其中,所述存储器件还包括:
地址锁存器,适于:响应于所述激活命令,锁存所述地址以提供激活地址;以及
地址储存电路,适于:通过在随机时间锁存所述激活地址来生成多个样本地址,以及输出根据所述目标刷新存储体信号或所述隐藏刷新存储体信号而从所述样本地址中选择的至少一个样本地址作为所述目标地址。
5.如权利要求3所述的存储器系统,其中,所述刷新计数电路包括:
存储体解码器,适于通过对所述存储体地址进行解码来生成多个存储体分配信号;
刷新组合器,适于根据所述目标刷新命令来输出所述多个存储体分配信号作为多个存储体信号;以及
多个子计数器,分别对应于所述存储体,根据所述振荡信号而被初始化,并且每个子计数器适于:在相应的存储体信号被使能时,通过增大相应的计数值而输出所述多个存储体计数信号中的相应的存储体计数信号。
6.如权利要求3所述的存储器系统,其中,所述风险分析电路包括:
等级分析电路,适于:根据所述振荡信号来锁存所述存储体计数信号,以及通过基于对每个存储体的行锤击风险的分析而将每个锁存的存储体计数信号映射到由多个存储体等级信号分别表示的多个等级中的一个等级来输出所述多个存储体等级信号;以及
周期控制电路,适于:生成所述周期控制信号,每个所述周期控制信号具有根据所述存储体等级信号而确定的激活区间。
7.如权利要求6所述的存储器系统,其中,所述周期控制电路包括:
公共信号生成器,适于生成至少一个公共信号;以及
多个周期调整器,适于:
通过根据所述多个存储体等级信号中的相应的存储体等级信号调整所述公共信号的激活区间来限定相应的周期控制信号的激活区间,以及
分别输出对应于所述存储体并具有所限定的激活区间的周期控制信号。
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