[发明专利]半导体存储器件和包括其的存储器系统

说明书

本申请公开了半导体存储器件和包括其的存储器系统。一种存储器系统，包括：存储器控制器，适于在激活命令的输入次数达到特定数量时生成正常刷新命令和目标刷新命令，以及提供激活命令、正常刷新命令、目标刷新命令和地址；以及存储器件，包括多个存储体并且适于：响应于目标刷新命令而对至少一个存储体的一个或更多个字线执行目标刷新操作，通过在周期性间隔内基于地址而对每个存储体的目标刷新命令的输入次数进行计数来确定每个存储体的行锤击风险级别，以及响应于正常刷新命令而执行与每个存储体的行锤击风险级别相对应的隐藏刷新操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年2月25日提交的韩国专利申请第10-2021-0025869号的优先权，其整体公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的各实施方式涉及半导体设计技术，更具体地，涉及一种包括执行目标刷新操作的半导体存储器件的存储器系统。

背景技术

半导体存储器件的存储单元包括用作开关的晶体管和存储电荷(或数据)的电容器。根据存储单元的电容器中是否有电荷(即电容器的端电压是高还是低)，确定数据为逻辑高电平(逻辑电平1)还是逻辑低电平(逻辑电平0)。

数据以电荷累积在电容器中的形式存储，并且理论上没有功耗。然而，由于因诸如晶体管的PN耦合等原因可能会存在漏电流，因此电容器中存储的初始电荷量可能会消失，导致数据丢失。为了防止这种情况发生，存储单元中的数据在数据丢失之前已经被读取，并且应将根据读取的数据的正常电荷量重新充电回到存储单元中。仅在周期性地重复这样的操作时数据才可以被保持，并且再充电单元电荷的过程被称为刷新操作，在下文中将被称为正常刷新操作。

近来，除了正常刷新操作之外，对由于行锤击而可能丢失数据的特定字线的存储单元也在执行附加刷新操作(将在下文中称为“目标刷新操作”)。行锤击现象是指其中耦接到特定字线或与该字线相邻设置的字线的存储单元的数据由于相应字线的大量激活而被损坏的现象。为了防止行锤击现象，对被激活超过预定次数的字线(以下称为“目标字线”)和与该字线相邻设置的字线执行目标刷新操作。

发明内容

本发明的实施方式涉及一种包括半导体存储器件的存储器系统，该半导体存储器件能够通过对在给定间隔中从存储器控制器提供的目标刷新命令的输入次数进行计数来确定每个存储体的行锤击风险的级别，并根据确定的每个存储体的行锤击风险级别来调整每个存储体的目标刷新周期。

本发明的实施方式涉及一种包括半导体存储器件的存储器系统，该半导体存储器件能够根据热信息以及所确定的每个存储体的行锤击风险级别来调整每个存储体的目标刷新周期。

本发明的实施方式涉及一种包括半导体存储器件的存储器系统，该半导体存储器件能够在正常刷新周期期间附加地执行用于防止行锤击现象的隐藏刷新操作。

根据本发明的一个实施方式，一种存储器系统包括存储器控制器，适于:当激活命令的输入次数达到特定数量时而生成正常刷新命令和目标刷新命令，以及提供激活命令、正常刷新命令、目标刷新命令和地址；以及存储器件，包括多个存储体并适于：响应于目标刷新命令而对至少一个存储体的一个或更多个字线执行目标刷新操作，通过在周期性间隔内基于地址而对每个存储体的目标刷新命令的输入次数进行计数来确定每个存储体的行锤击风险级别，以及响应于正常刷新命令而执行与每个存储体的行锤击风险级别相对应的隐藏刷新操作。