[发明专利]存储器修补线路确定方法及装置、存储介质及电子设备有效
申请号: | 202110824854.1 | 申请日: | 2021-07-21 |
公开(公告)号: | CN113539347B | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 杨波;骆晓东 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G11C29/44 | 分类号: | G11C29/44;G11C29/00 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 修补 线路 确定 方法 装置 存储 介质 电子设备 | ||
1.一种存储器修补线路确定方法,其特征在于,所述方法包括:
在正常区域的各线路中均写入第一预设数据组,在冗余区域的各线路中写入第二预设数据组,所述冗余区域的各线路中写入的所述第二预设数据组不同,所述第二预设数据组与所述第一预设数据组不同;
使用所述冗余区域中的线路对所述正常区域中的线路进行修补;
读取修补后的所述正常区域中各线路的数据;
根据所述正常区域中各线路的数据、修补后的所述正常区域中各线路的数据或所述冗余区域中各线路的数据,确定所述正常区域中的被修补线路以及所述冗余区域中的去修补线路。
2.根据权利要求1所述的存储器修补线路确定方法,其特征在于,所述第一预设数据组为全0或全1的数据。
3.根据权利要求1所述的存储器修补线路确定方法,其特征在于,在所述正常区域的各线路中写入的所述第一预设数据组至少部分不同。
4.根据权利要求1所述的存储器修补线路确定方法,其特征在于,使用所述冗余区域中的线路对所述正常区域中的线路进行修补包括:
开启所述正常区域的修补功能。
5.根据权利要求4所述的存储器修补线路确定方法,其特征在于,所述方法还包括:
在正常区域的各线路中写入第一预设数据组之前,关闭所述正常区域的修补功能。
6.根据权利要求1所述的存储器修补线路确定方法,其特征在于,所述线路为列线路或行线路。
7.根据权利要求6所述的存储器修补线路确定方法,其特征在于,在所述线路为列线路时,所述第一预设数据组为第一预设数据列,所述第二预设数据组为第二预设数据列。
8.根据权利要求6所述的存储器修补线路确定方法,其特征在于,在所述线路为行线路时,所述第一预设数据组为第一预设数据行,所述第二预设数据组为第二预设数据行。
9.根据权利要求1所述的存储器修补线路确定方法,其特征在于,根据所述正常区域中各线路的数据、修补后的所述正常区域中各线路的数据或所述冗余区域中各线路的数据,确定所述正常区域中的被修补线路以及所述冗余区域中的去修补线路包括:
根据所述正常区域中各线路的数据和修补后的所述正常区域中各线路的数据,确定所述正常区域中的被修补线路;
根据修补后的所述正常区域中各线路的数据与所述冗余区域中各线路的数据,确定所述冗余区域中的去修补线路。
10.根据权利要求9所述的存储器修补线路确定方法,其特征在于,根据所述正常区域中各线路的数据和修补后的所述正常区域中各线路的数据,确定所述正常区域中的被修补线路包括:
将修补后的所述正常区域中与所述正常区域中数据不同的线路,确定为所述被修补线路。
11.根据权利要求9所述的存储器修补线路确定方法,其特征在于,根据修补后的所述正常区域中各线路的数据与所述冗余区域中各线路的数据,确定所述冗余区域中的去修补线路包括:
将所述冗余区域中与修补后的所述正常区域中数据相同的线路确定为所述去修补线路。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的存储器修补线路确定方法,其特征在于,所述方法还包括:
根据所述去修补线路和所述被修补线路,验证预设修补规则的准确性。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司,未经长鑫存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110824854.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:EPS泡沫板打孔装置
- 下一篇:样本处理方法、装置、计算机可读介质及电子设备