[发明专利]一种超高纯净半导体级硫酸的制备方法

权利要求书

1.一种超高纯净半导体级硫酸的制备方法，其特征在于，依次包括如下步骤：

(1)原料回收预处理：首先将回收的原料进行滤渣打浆和洗涤，之后将相对纯净的滤液加入至结晶室内部通过真空处理结晶处理，得到浓缩废酸液，并且放置等待备用；

(2)浓缩废酸液除杂处理：将步骤(1)中的废酸液加入至蒸发炉中，之后加热废酸液，使得废酸液中的部分水分和其他的无机物质蒸发出来，并且在加热途中不停匀速搅拌，使得蒸发更加的充分，蒸发出来的水蒸气导入冷凝塔进行回收处理；

(3)浓缩废酸液加热处理：将步骤(2)中的浓缩废酸液加入至分解炉中，使得浓缩废酸液产生二氧化硫和其他物质，并且将分解炉温度降低，等待备用；

(4)二氧化硫气体催化处理：将步骤(3)中的二氧化硫气体导入至接触室内部加入催化剂并且进行加热处理，使得二氧化硫气体转换成三氧化硫气体，等待备用；

(5)三氧化硫气体吸收处理：将步骤(4)中二氧化硫转换的三氧化硫气体通过浓硫酸进行吸收，得到发烟硫酸，等待备用；

(6)稀释处理：将步骤(5)中的发烟硫酸中进行稀释，从而得到半导体级硫酸。

2.根据权利要求1所述的一种超高纯净半导体级硫酸的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中得到的浓缩废酸液的浓度为80～85％，且原料可采用废弃硫磺、硫化氢、二氧化硫、废硫酸、金属冶炼烟气或者石膏等等作为制作原料。

3.根据权利要求1所述的一种超高纯净半导体级硫酸的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中的加热温度为500～800℃，且分解炉温度降低至230～300℃方可进行二氧化硫的催化处理。

4.根据权利要求1所述的一种超高纯净半导体级硫酸的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中的催化剂采用五氧化二钒，且加热温度为600～1000℃。

5.根据权利要求1所述的一种超高纯净半导体级硫酸的制备方法，其特征在于：所述步骤(5)中的用于吸收三氧化硫的浓硫酸浓度为97.5～98.5％。

6.根据权利要求1所述的一种超高纯净半导体级硫酸的制备方法，其特征在于：所述步骤(6)中的稀释处理中的稀释液体采用去离子的超纯水，且稀释后的硫酸浓度为95～98％，去离子超纯水的用量为2～5％。