[发明专利]一种碳化硅籽晶的镀膜方法

权利要求书

1.一种碳化硅籽晶的镀膜方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1、将碳化硅抛光片的C面贴一层保护膜；

步骤2、匀胶机中通入保护气体，通过托盘吸住碳化硅抛光片贴有保护膜的一面；

步骤3、在碳化硅抛光片的Si面上涂具有碳化硅成分的胶水，然后通过匀胶机旋涂，得到一层薄膜；

步骤4、在步骤3得到的一层薄膜上涂光刻胶，然后通过匀胶机旋涂，得到二层薄膜；

步骤5、在步骤4得到的二层薄膜上涂具有石墨成分的胶水，然后通过匀胶机旋涂，得到三层薄膜；

步骤6、将步骤5得到的具有三层薄膜的碳化硅抛光片，在置于恒温加热器中，加热后冷却至室温，得到一种碳化硅籽晶镀膜。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，其特征在于：步骤1中的保护膜为3M胶带，胶带厚度为0.1-1mm。

3.根据权利要求1或2所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，其特征在于：步骤1中的碳化硅抛光片的Si面用乙醇清洗3次后，用氮气气枪吹干。

4.根据权利要求3所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，其特征在于：步骤2中的保护气体为氮气，匀胶机的转速为3000-6000r/min。

5.根据权利要求4所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，其特征在于：步骤3中具有碳化硅成分的胶水为加入碳化硅含量为75wt％的光刻胶，匀胶机转速设置为2000-4000r/min，旋涂时间为20-25s。

6.根据权利要求5所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，其特征在于：步骤4中光刻胶的型号为AZP4620，匀胶机转速设置为3000-6000r/min，旋涂时间为10-30s。

7.根据权利要求6所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，其特征在于：步骤5中具有石墨成分的胶水为加入石墨的含量为95wt％的光刻胶，匀胶机转速设置为5000-8000r/min，旋涂时间为30s-50s。

8.根据权利要求7所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，其特征在于：步骤6中加热步骤在超净间进行，恒温加热器的初始温度为100℃，每隔30min升温30℃，加热时间为5h。