[发明专利]一种碳化硅籽晶的镀膜方法

说明书

一种碳化硅籽晶的镀膜方法，它属于碳化硅籽晶的镀膜技术领域。本发明要解决的技术问题为提高镀膜成品率。本发明将碳化硅抛光片的C面贴一层保护膜；匀胶机中通入保护气体，通过托盘吸住碳化硅抛光片贴有保护膜的一面；在碳化硅抛光片的Si面上涂具有碳化硅成分的胶水，然后通过匀胶机旋涂，得到一层薄膜上涂光刻胶，然后通过匀胶机旋涂，得到二层薄膜上涂具有石墨成分的胶水，然后通过匀胶机旋涂，得到三层薄膜，将具有三层薄膜的碳化硅抛光片，在置于恒温加热器中，加热后冷却至室温，得到一种碳化硅籽晶镀膜。本发明成品率高，不容易产生融化现象。

技术领域

本发明属于碳化硅籽晶的镀膜技术领域；具体涉及一种碳化硅籽晶的镀膜方法。

背景技术

碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料具有宽禁带、高热导率、高临界击穿场强、高电子迁移率等特性，而成为高温、高频、大功率、抗辐射电子器件的首选材料，目前尽管SiC功率器件取得了突破性的进展，但是还存在着成本和技术上的问题阻碍了其商业化的进程。以物理气相传输(PVT)法制备的SiC晶片含有位错、微管、热分解空腔以及六方空洞等缺陷，这些缺陷的存在减少SiC晶片的有效利用面积，有关热分解腔和六方空洞的成因，其中，较多数认为是跟籽晶背面的升华有关。

在晶体生长过程中由于籽晶与籽晶台之间粘接的不紧密，并且所用粘接剂内含一定水分，在粘接加热过程中，若粘接剂热解的过快便会发生局部沸腾的现象，而沸腾所引起的气泡会使局部粘接剂难以有效连接籽晶与籽晶台，即在籽晶与籽晶台的界面会存在一个局部空洞，此空洞的存在导致在晶体生长过程中，籽晶与籽晶台之间会有一个温度差，该温度差主要是在晶体生长过程中局部空洞在籽晶台上的温度分布作用下由于石墨与SiC之间的热导率差异及籽晶台的散热而引起的。这个温度差会使籽晶背面发生分解升华现象,从而导致热分解空腔和六方空洞的产生。

发明内容

本发明目的是提供了一种成品率高的碳化硅籽晶的镀膜方法。

本发明通过以下技术方案实现：

一种碳化硅籽晶的镀膜方法，包括如下步骤：

步骤1、将碳化硅抛光片的C面贴一层保护膜；

步骤2、匀胶机中通入保护气体，通过托盘吸住碳化硅抛光片贴有保护膜的一面；

步骤3、在碳化硅抛光片的Si面上涂具有碳化硅成分的胶水，然后通过匀胶机旋涂，得到一层薄膜；

步骤4、在步骤3得到的一层薄膜上涂光刻胶，然后通过匀胶机旋涂，得到二层薄膜；

步骤5、在步骤4得到的二层薄膜上涂具有石墨成分的胶水，然后通过匀胶机旋涂，得到三层薄膜；

步骤6、将步骤5得到的具有三层薄膜的碳化硅抛光片，在置于恒温加热器中，加热后冷却至室温，得到一种碳化硅籽晶镀膜。

本发明所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，步骤1中的保护膜为3M胶带，胶带厚度为0.1-1mm。

本发明所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，步骤1中的碳化硅抛光片的Si面用乙醇清洗3次后，用氮气气枪吹干。

本发明所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，步骤2中的保护气体为氮气，匀胶机的转速为3000-6000r/min。

本发明所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，步骤3中具有碳化硅成分的胶水为加入碳化硅含量为75wt％的光刻胶，匀胶机转速设置为2000-4000r/min，旋涂时间为20-25s。

本发明所述的一种碳化硅籽晶的镀膜方法，步骤4中光刻胶的型号为AZP4620，匀胶机转速设置为3000-6000r/min，旋涂时间为10-30s。