[发明专利]一种多级芯片串联系统芯片定位方法及多级芯片串联系统在审
申请号: | 202110832144.3 | 申请日: | 2021-07-22 |
公开(公告)号: | CN113594077A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 杜小洪;肖晶;张昆 | 申请(专利权)人: | 重庆双芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/67 |
代理公司: | 重庆信航知识产权代理有限公司 50218 | 代理人: | 胡蓉 |
地址: | 400000 重庆市*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多级 芯片 串联 系统 定位 方法 | ||
1.一种多级芯片串联系统芯片定位方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1、判断是多级芯片串联系统中哪些是位于两端的芯片,设:两端的芯片为端部芯片、位于端部芯片之间的芯片为中间芯片;
S2、从两端部芯片开始依次发送初始数据包,设端部芯片发送的初始数据包为设定值,发送过程中,中间芯片接收到的初始数据包中计算数据+1发送给下一芯片;
S3、从第一个中间芯片开始依次发送计算序列号数据包,设第一个中间芯片的计算序列号数据包中计算序列号等于自己序列号,发送过程中,中间芯片接收到的序列号数据包中序列号+1发送给下一芯片;
S4、通过初试数据包、计算序列号数据包和自己序列号,计算多级芯片串联系统中所有中间芯片的编号ID。
2.根据权利要求1所述的一种多级芯片串联系统芯片定位方法,其特征在于,在步骤S2进行后,且在步骤S3进行之前,每个中间芯片均进行特定数量判断操作,特征数量判断操作包括如下步骤:
第一,判断中间芯片是否自己收到的计算数据和自己发送的计算数据均为设定值;若是,则判断此多级芯片串联系统中芯片数量为2,此种情况不进行步骤S3和步骤S4;
第二,判断中间芯片是否自己收到的两个计算数据均为设定值,则判断此多级芯片串联系统中芯片数量为3,此种情况不进行步骤S3,直接进行步骤S4。
3.根据权利要求2所述的一种多级芯片串联系统芯片定位方法,其特征在于,步骤S4包括如下步骤:
S41、判断多级芯片串联系统中芯片数量是否为3;若是,则直接将中间芯片的编号ID设置为1,且不进行步骤S42;若否,则进行步骤S42;
S42、设靠近两端部芯片的两中间芯片中,通过自己序列号、自己收到的计算序列号和自己收到的计算数据判断哪一个中间芯片是第一编号计算芯片;
S43、第一编号计算芯片的编号ID设置为1;
S44、从第一编号计算芯片开始,向中间芯片一侧发送自己的编号ID给下一芯片,除第一编号计算芯片外每个中间芯片的编号ID等于自己接收到编号ID+1。
4.根据权利要求3所述的一种多级芯片串联系统芯片定位方法,其特征在于,执行步骤S44过程中还进行步骤S5,步骤S5执行的工作为:赋予靠近第一编号计算芯片的端部芯片排列端头标记。
5.根据权利要求4所述的一种多级芯片串联系统芯片定位方法,其特征在于,步骤S5包括如下步骤:
S51、中间芯片判断是否接收到的编号ID是否为1;若是,则进行步骤S52;若否,则不进行任何操作;
S52、发送为0的ID编号给自己连接的第一编号计算芯片;
S53、第一编号计算芯片后发送ID编号给自己连接的端部芯片,第一编号计算芯片发送的ID编号=收到的ID编号+1;
S54、连接第一编号计算芯片的端部芯片将收到的ID编号设置为排列端头标记。
6.根据权利要求2所述的一种多级芯片串联系统芯片定位方法,其特征在于,在每个中间芯片均做完特征数量判断后,端部芯片获得中间芯片数量的方式为:中间芯片数量=收到的计算数据-设定值。
7.根据权利要求2所述的一种多级芯片串联系统芯片定位方法,其特征在于,在每个中间芯片均做完特征数量判断后,设定值为0,则端部芯片获得中间芯片数量的方式为:中间芯片数量=收到的计算数据。
8.根据权利要求2所述的一种多级芯片串联系统芯片定位方法,其特征在于,步骤S42包括如下步骤:
S421、每个靠近一端部芯片的中间芯片中计算靠近另一端部芯片的中间芯片的序列号DSN,计算方式为:DSN=自己收到的计算序列号-自己收到的计算数据;
S422、每个靠近一端部芯片的中间芯片中判断自己的序列号是否小于DSN;若是,自己就是第一编号计算芯片;若否,则自己不是第一编号计算芯片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造