[发明专利]转移装置及其制作方法、微型LED的转移方法和显示器在审
申请号: | 202110833907.6 | 申请日: | 2021-07-23 |
公开(公告)号: | CN115692293A | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 田维;曹伯承 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;H01L33/48;H01L27/15 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 李晓霞 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 转移 装置 及其 制作方法 微型 led 方法 显示器 | ||
1.一种转移装置,其特征在于,所述转移装置包括:
多个转移头以及承载多个所述转移头的第一基板;
所述转移头的远离所述第一基板的一端的端面上具有第一凹槽,所述第一凹槽内设置有光致形变结构。
2.根据权利要求1所述的转移装置,其特征在于,
所述光致形变结构包括弹性基材和分散在所述弹性基材中的光致形变颗粒。
3.根据权利要求2所述的转移装置,其特征在于,
所述弹性基材为透明弹性基材。
4.根据权利要求1所述的转移装置,其特征在于,
在垂直于所述第一基板的方向上,所述转移头的高度为H,所述第一凹槽的深度为h;其中,h≤H/2。
5.根据权利要求1所述的转移装置,其特征在于,
所述光致形变结构的远离所述第一基板一侧的表面距所述第一基板的距离为第一距离,所述端面距所述第一基板的距离为第二距离,所述第一距离小于所述第二距离。
6.一种转移装置的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
提供第一基板,在所述第一基板上涂布第一材料层;
提供转印模板,所述转印模板具有多个第二凹槽,在所述第二凹槽的底部具有凸台,所述凸台的高度小于所述第二凹槽的深度;
将所述第一材料层与所述第二凹槽相对、并控制所述第一基板与所述转印模板进行贴合,以使得所述第一材料层形成转移头;其中,所述转移头嵌合在所述第二凹槽内,且所述凸台嵌合在所述转移头的远离所述第一基板一侧的端面内;
将所述转移头与所述转印模板分离,在所述转移头的远离所述第一基板的一侧的端面上形成有第一凹槽;
在所述第一凹槽内制作光致形变结构。
7.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,
将所述第一材料层与所述第二凹槽相对、并控制所述第一基板与所述转印模板进行贴合,以使得所述第一材料层形成转移头,包括:
对所述第一材料层进行预烘烤使所述第一材料层处于半流体状态;
将处于半流体状态的所述第一材料层与所述第二凹槽相对;
控制所述第一基板与所述转印模板进行贴合,以使得所述第一材料层流进所述第二凹槽内形成转移头前躯体,所述凸台嵌合在所述转移头前驱体的远离所述第一基板一侧的端面内;
对处于贴合状态的所述第一基板和所述转印模板进行烘烤,以烘干所述转移头前驱体形成所述转移头。
8.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,
对所述第一材料层进行预烘烤使所述第一材料层处于半流体状态,包括:在50℃~160℃温度下对所述第一材料层进行预烘烤,预烘烤时间为30s~6min;
对处于贴合状态的所述第一基板和所述转印模板进行烘烤,包括:在50℃~160℃温度下对处于贴合状态的所述第一基板和所述转印模板进行烘烤,烘烤时间为10min~200min。
9.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,
控制所述第一基板与所述转印模板进行贴合,以使得所述第一材料层流进所述第二凹槽内形成转移头前躯体,包括:
控制所述第一基板与所述转印模板在真空下进行贴合并除泡。
10.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,
提供第一基板,在所述第一基板上涂布第一材料层之后,还包括:在真空下对所述第一材料层进行旋转脱泡处理。
11.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,
提供转印模板,包括:
提供第二基板,在所述第二基板之上涂布光阻层;
利用光罩对所述光阻层进行曝光处理;
利用显影液对曝光后的所述光阻层进行显影处理,形成所述第二凹槽、以及位于所述第二凹槽底部的所述凸台。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造