[发明专利]转移装置及其制作方法、微型LED的转移方法和显示器在审
申请号: | 202110833907.6 | 申请日: | 2021-07-23 |
公开(公告)号: | CN115692293A | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 田维;曹伯承 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;H01L33/48;H01L27/15 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 李晓霞 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 转移 装置 及其 制作方法 微型 led 方法 显示器 | ||
本发明实施例提供一种转移装置及其制作方法、微型LED的转移方法和显示器。转移装置包括多个转移头以及承载多个转移头的第一基板;转移头的远离第一基板的一端的端面上具有第一凹槽,第一凹槽内设置有光致形变结构。采用本发明实施例提供的转移装置对微型LED进行转移,利用光照射转移头使得第一凹槽内的光致形变结构发生形变膨胀,从而光致形变结构挤压微型LED使其从转移头上脱离。在转移工艺中,不需要对转移头进行激光灼烧能够避免灼烧残留物对微型LED造成污染,也不需要高温工艺条件能够避免高温对微型LED造成损伤。而且去除光照后光致形变结构恢复形变,使得转移头可以重复利用,能够提高巨量转移工艺的转移效率。
技术领域
本发明属于显示技术领域,更具体的涉及一种转移装置及其制作方法、微型LED的转移方法和显示器。
背景技术
Micro-LED(微型LED,微型发光二极管)显示器,是将LED结构进行薄膜化、微小化、阵列化后,通过批量式转移的方式转移到基板上,然后再对其进行封装而形成的显示器件。与液晶显示和有机发光显示相比,微型LED显示器具有高亮度、高响应速度、低功耗以及长寿命等优点,因此成为人们新一代显示技术的研究热点。
微型LED难以在玻璃基板上直接生长,需要依靠转移技术将在源基板上生长的微型LED转移到玻璃基板之上。由于一次性转移的微型LED的数量巨大,从几万到十几万个,因此将此工艺过程称之为巨量转移。鉴于微型LED微小的尺寸(一般在1~10μm左右)、较大的生长密度以及巨大的转移数量,一般需要使用超高精度转移设备和转移头来实现对其进行转移,这对转移设备和转移技术带来较大的困难与挑战,成为阻碍微型LED显示器量产的最大的难题之一。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种转移装置及其制作方法、微型LED的转移方法和显示器,以解决现有技术中对微型LED转移时造成微型LED损伤或污染的技术问题。
第一方面,本发明实施例提供一种转移装置,转移装置包括:多个转移头以及承载多个转移头的第一基板;转移头的远离第一基板的一端的端面上具有第一凹槽,第一凹槽内设置有光致形变结构。光致形变结构具有光致形变特性,在特定波长以及一定强度的光的照射下,光致形变结构内部发生光物理或者光化学效应,将光能转换为机械能,发生伸缩形变;当特定波长以及一定强度的光消失时,光致形变结构形变恢复。
采用本发明实施例提供的转移装置对微型LED进行转移,首先利用转移头从源基板上拾取微型LED,在将微型LED移动到与接受基板的相对的位置之后,利用光照射转移头使得第一凹槽内的光致形变结构发生形变膨胀,从而形变膨胀后的光致形变结构挤压微型LED使其从转移头上脱离,微型LED脱落在接受基板的对应位置上实现对微型LED的转移。在转移工艺中,不需要对转移头进行激光灼烧能够避免灼烧残留物对微型LED造成污染,也不需要高温工艺条件能够避免高温对微型LED造成损伤。并且,利用光照射转移头上第一凹槽内的光致形变结构,光致形变结构变形后挤压微型LED使其释放在接受基板上,去除光照后光致形变结构恢复形变,使得转移头可以重复利用,能够提高巨量转移工艺的转移效率。另外,本发明能够根据需求有选择性的释放相应的微型LED,避免将不良器件转移到接受基板上,能够提升产品良率。
在一种实施例中,光致形变结构包括弹性基材和分散在弹性基材中的光致形变颗粒。其中,光致形变颗粒对特定波长的光敏感;弹性基材具有弹性恢复性能。当特定波长以及一定强度的光照射光致形变结构时,照射区域的光致形变颗粒将光能转换为机械能,使得弹性基材发生伸缩形变,从而使得光致形变结构整体发生伸缩形变;当该光照消失时,光致形变结构形变恢复。由此实现精确快速的光驱动形变过程。
在一种实施例中,弹性基材为透明弹性基材。弹性基材的透光性能好,在转移工艺中光照射到光致形变结构后能够保证光致形变结构的各个部位受光照强度的差异小,保证光致形变结构的各个部位均匀形变。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造