[发明专利]动态随机存取存储器小晶片结构及其制造方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器(DRAM)小晶片结构，其包含：

一第一混合键合结构，其具有一第一表面及一第二表面；

一DRAM介面结构，其接触该第一混合键合结构的该第一表面；及

一第一DRAM核心结构，其接触该第一混合键合结构的该第二表面，且该DRAM介面结构是经该第一混合键合结构而与该第一DRAM核心结构电性连接。

2.如权利要求1所述的DRAM小晶片结构，其中该第一DRAM核心结构至少包含一DRAM阵列区域、一行解码器及一列解码器。

3.如权利要求1所述的DRAM小晶片结构，其中该DRAM介面结构至少包含一数据输入输出缓冲器及一命令及/或地址缓冲器。

4.如权利要求1所述的DRAM小晶片结构，其中该第一DRAM核心结构或该DRAM介面结构至少包含一读取/写入缓冲器、一控制逻辑、一测试逻辑、一电源供应器及/或一冗余修复器。

5.如权利要求1所述的DRAM小晶片结构，其进一步包含：

至少一第二混合键合结构，其位于该第一DRAM核心结构上；及

至少一第二DRAM核心结构，其位于该第二混合键合结构上。

6.如权利要求5所述的DRAM小晶片结构，其进一步包含一第一穿透通孔，该穿透通孔电性连接该第二DRAM核心结构及该DRAM介面结构。

7.如权利要求5所述的DRAM小晶片结构，其中该至少一第二DRAM核心结构包含复数个第二DRAM核心结构，且一最顶部第二DRAM核心结构是所述这些第二DRAM核心结构当中最厚者。

8.一种半导体结构，其包含：

至少一动态随机存取存储器(DRAM)小晶片结构，每个所述DRAM小晶片结构包含：

一DRAM介面结构；及

至少一DRAM核心结构，其是经一晶圆键合技术键合于该DRAM介面结构上；及

一半导体晶粒，其具有一逻辑电路结构，其中该半导体晶粒是经一键合结构电性连接于该DRAM小晶片结构。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其中该键合结构包含一第一混合键合结构位于该DRAM小晶片结构及该半导体晶粒之间。

10.如权利要求8所述的半导体结构，其中该键合结构包含一导电凸块连接件接触该DRAM小晶片结构及该半导体晶粒。

11.如权利要求8所述的半导体结构，进一步包含一中介板支撑该DRAM小晶片结构及该半导体晶粒。

12.如权利要求8所述的半导体结构，其中该半导体晶粒包含复数个第二穿透通孔接触该键合结构。

13.如权利要求8所述的半导体结构，其进一步包含：

一介电材料，其环绕该DRAM小晶片结构；及

复数个通孔，其被该介电材料所环绕，所述这些通孔接触该半导体晶粒及一导电凸块，其中该DRAM小晶片结构是位于该半导体晶粒及该导电凸块之间。

14.如权利要求8所述的半导体结构，其中该至少一DRAM核心结构包含复数个DRAM核心结构，所述这些DRAM核心结构经复数个第二混合键合结构而相互电性连接。

15.如权利要求8所述的半导体结构，其中该至少一DRAM小晶片结构包含复数个DRAM小晶片结构排列为一行或一阵列，且未被分割。