[发明专利]动态随机存取存储器小晶片结构及其制造方法

说明书

本揭露提供一种DRAM小晶片结构。该种DRAM小晶片结构包含一第一混合键合结构、一DRAM介面结构及一第一DRAM核心结构。该第一混合键合结构具有一第一表面及一第二表面。该DRAM介面结构接触该第一混合键合结构的该第一表面。该第一DRAM核心结构接触该第一混合键合结构的该第二表面，且该DRAM介面结构是经该第一混合键合结构而与该第一DRAM核心结构电性连接。本揭露亦提供一种半导体结构及一种制造DRAM小晶片结构的方法。

技术领域

本揭露是有关于一种DRAM小晶片结构及制造其的方法，特别是所揭露的DRAM小晶片结构具有一核心结构经一混合键合结构而与一介面结构为堆叠。

背景技术

动态随机存取存储器(DRAM)是半导体存储器的一种，其将数据的每个位元储存于由一电容及一电晶体所组成的存储器单元内。相较于静态随机存取存储器(SRAM)，DRAM具有比SRAM更复杂的电路和时序要求，但它的应用范围则要广泛得多。DRAM的优势在于其存储单元的结构简单，相较于SRAM当中的四个或六个电晶体相比，DRAM的每个位元只需要一个电晶体和一个电容，这使得DRAM能够达到极高的密度且每位元的成本相当的便宜，且电晶体及电容的尺寸相当小，因此单个存储器晶片可具有数十亿个存储器单元。另外，基于存储器单元的动态特性，DRAM相对地会消耗相对较多的功率，并采用不同的方式来管理功率消耗。

发明内容

本发明的一实施例是关于一种动态随机存取存储器(DRAM)小晶片结构，其包含：一第一混合键合结构，其具有一第一表面及一第二表面；一DRAM介面结构，其接触该第一混合键合结构的该第一表面；及一第一DRAM核心结构，其接触该第一混合键合结构的该第二表面，且该DRAM介面结构是经该第一混合键合结构而与该第一DRAM核心结构电性连接。

本发明的一实施例是关于一种半导体结构，其包含：至少一动态随机存取存储器(DRAM)小晶片结构，每该DRAM小晶片结构包含：一DRAM介面结构；及至少一DRAM核心结构，其是经一晶圆键合技术键合于该DRAM介面结构上；及一半导体晶粒，其具有一逻辑电路结构，其中该半导体晶粒是经一键合结构电性连接于该DRAM小晶片结构。

本发明的一实施例是关于一种制造动态随机存取存储器(DRAM)小晶片结构的方法，该方法包含：形成一第一混合键合层于具有一DRAM介面结构的一第一晶圆上；形成一第二混合键合层于具有一第一DRAM核心结构的一第二晶圆上；经一混合键合操作而键合该第一晶圆及该第二晶圆以连接该第一混合键合层及该第二混合键合层，借此取得一第一键合晶圆，且该DRAM介面结构是经该第一混合键合层及该第二混合键合层而电性连接于该第一DRAM核心结构；及单体化该第一键合晶圆以取得一DRAM小晶片结构。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述最佳理解本揭露的态样。应注意，根据产业中的标准实践，各种结构未按比例绘制。事实上，为了清楚论述可任意增大或减小各种结构的尺寸。

图1说明根据本揭露一些实施例的半导体结构的剖视图。

图2说明半导体结构或半导体晶圆的正面及背面的定义。

图3A说明一DRAM结构的上视图。

图3B说明一DRAM结构的上视图。

图4说明根据本揭露一些实施例的半导体结构的立体图。

图5A说明根据本揭露一些实施例的晶圆的剖视图。

图5B说明根据本揭露一些实施例的晶圆的剖视图。

图5C说明根据本揭露一些实施例的键合晶圆的剖视图。

图5D说明根据本揭露一些实施例的键合晶圆的剖视图。

图5E说明根据本揭露一些实施例的键合晶圆的剖视图。

图6说明根据本揭露一些实施例的DRAM的组织图。