[发明专利]具有钽基合金吸收体的极紫外掩模

权利要求书

1.一种极紫外(EUV)掩模，包括：

衬底；

反射多层堆叠，在所述衬底上；以及

经图案化的吸收体层，在所述反射多层堆叠上，其中，所述经图案化的吸收体层包括合金，所述合金包括钽(Ta)和至少一种合金元素，所述至少一种合金元素包括至少一种过渡金属元素或至少一种第14族元素。

2.根据权利要求1所述的EUV掩模，其中，所述合金是具有高达90原子％的Ta浓度的富Ta合金。

3.根据权利要求1所述的EUV掩模，其中，所述至少一种过渡金属元素选自由下列项组成的组：钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、铁(Fe)、钌(Ru)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、及其合金。

4.根据权利要求1所述的EUV掩模，其中，所述经图案化的吸收体层包括TaCr、TaHf、TaIr、TaNi、TaRu、TaCo、TaAu、TaMo、TaW、TaFe、TaRh、TaV、TaNb、TaPd、TaZr、TaTi、或TaPt。

5.根据权利要求1所述的EUV掩模，其中，所述至少一种第14族元素是硅或锗。

6.根据权利要求1所述的EUV掩模，其中，所述经图案化的吸收体层包括TaSi或TaGe。

7.根据权利要求1所述的EUV掩模，其中，所述合金还包括至少一种间隙元素。

8.根据权利要求7所述的EUV掩模，其中，所述至少一种间隙元素包括氮(N)、氧(O)、硼(B)、碳(C)、或其组合。

9.一种形成极紫外(EUV)掩模的方法，包括：

在衬底上形成反射多层堆叠；

在所述反射多层堆叠上沉积帽盖层；

在所述帽盖层上沉积吸收体层，其中，所述吸收体层包括合金，所述合金包括钽(Ta)和至少一种合金元素，所述至少一种合金元素包括至少一种过渡金属元素或至少一种第14族元素；

在所述吸收体层上形成经图案化的硬掩模层；以及

使用所述经图案化的硬掩模层作为蚀刻掩模，来蚀刻所述吸收体层以在其中形成多个开口，所述多个开口暴露出所述帽盖层的表面。

10.一种形成极紫外(EUV)掩模的方法，包括：

在衬底上形成反射多层堆叠；

在所述反射多层堆叠上沉积帽盖层；

在所述帽盖层上形成缓冲层；

在所述缓冲层上沉积吸收体层，其中，所述吸收体层包括合金，所述合金包括钽(Ta)和至少一种过渡金属元素，所述至少一种过渡金属元素选自由下列项组成的组：钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、铁(Fe)、钌(Ru)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、和金(Au)；

在所述吸收体层上形成硬掩模层；

蚀刻所述硬掩膜层以形成经图案化的硬掩膜层；以及

使用所述经图案化的硬掩模层作为蚀刻掩模，来蚀刻所述吸收体层以在其中形成多个开口，所述多个开口暴露出所述帽盖层的表面。