[发明专利]具有钽基合金吸收体的极紫外掩模

说明书

本公开涉及具有钽基合金吸收体的极紫外掩模。提供了一种极紫外掩模，包括衬底、在衬底上的反射多层堆叠、和在反射多层堆叠上的经图案化的吸收体层。经图案化的吸收体层包括合金，该合金包括钽和至少一种合金元素。该至少一种合金元素包括至少一种过渡金属元素或至少一种第14族元素。

技术领域

本公开涉及半导体器件，尤其涉及具有钽基合金吸收体的极紫外掩模。

背景技术

半导体工业经历了指数级增长。材料和设计方面的技术进步产生了几代集成电路(integrated circuit，IC)，其中每一代都具有比上一代更小和更复杂的电路。在IC演进过程中，功能密度(即，每个芯片面积的互连器件的数量)普遍增加，而几何尺寸(即，使用制造工艺能够创建的最小组件或线路)减少。这种按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。

发明内容

根据本公开的一方面，提供了一种极紫外(EUV)掩模，包括：衬底；反射多层堆叠，在所述衬底上；以及经图案化的吸收体层，在所述反射多层堆叠上，其中，所述经图案化的吸收体层包括合金，所述合金包括钽(Ta)和至少一种合金元素，所述至少一种合金元素包括至少一种过渡金属元素或至少一种第14族元素。

根据本公开的一方面，提供了一种形成极紫外(EUV)掩模的方法，包括：在衬底上形成反射多层堆叠；在所述反射多层堆叠上沉积帽盖层；在所述帽盖层上沉积吸收体层，其中，所述吸收体层包括合金，所述合金包括钽(Ta)和至少一种合金元素，所述至少一种合金元素包括至少一种过渡金属元素或至少一种第14族元素；在所述吸收体层上形成经图案化的硬掩模层；以及使用所述经图案化的硬掩模层作为蚀刻掩模，来蚀刻所述吸收体层以在其中形成多个开口，所述多个开口暴露出所述帽盖层的表面。

根据本公开的一方面，提供了一种形成极紫外(EUV)掩模的方法，包括：在衬底上形成反射多层堆叠；在所述反射多层堆叠上沉积帽盖层；在所述帽盖层上形成缓冲层；在所述缓冲层上沉积吸收体层，其中，所述吸收体层包括合金，所述合金包括钽(Ta)和至少一种过渡金属元素，所述至少一种过渡金属元素选自由下列项组成的组：钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、铁(Fe)、钌(Ru)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、和金(Au)；在所述吸收体层上形成硬掩模层；蚀刻所述硬掩膜层以形成经图案化的硬掩膜层；以及使用所述经图案化的硬掩模层作为蚀刻掩模，来蚀刻所述吸收体层以在其中形成多个开口，所述多个开口暴露出所述帽盖层的表面。

附图说明

在结合附图阅读时，可以从下面的具体实施方式中最佳地理解本公开的各方面。应当注意，根据行业的标准做法，各种特征不是按比例绘制的。事实上，为了讨论的清楚起见，各种特征的尺寸可能被任意增大或减小。

图1是根据第一实施例的极紫外(extreme ultraviolet，EUV)掩模的截面图。

图2是根据一些实施例的制造图1的EUV掩模的方法的流程图。

图3A-图3L是根据一些实施例的处于图2的制造工艺的各个阶段的EUV掩模的截面图。

图4是根据第二实施例的极紫外(EUV)掩模的截面图。

图5是根据一些实施例的制造图4的EUV掩模的方法的流程图。

图6A-图6J是根据一些实施例的处于图5的制造工艺的各个阶段的EUV掩模的截面图。

具体实施方式