[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202110835828.9 | 申请日: | 2021-07-23 |
公开(公告)号: | CN114078910A | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 金昤究;朴志奫;徐奉成;孙廷昊;柳在鎭;李渊熙;全栢均;卓炅善 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 程月;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底;
第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件,均包括第一颜色发射层并且位于所述基底之上;
第二颜色量子点层,位于所述第二发光器件之上;
第三颜色量子点层,位于所述第三发光器件之上;
低折射率层,位于所述第二颜色量子点层和所述第三颜色量子点层之上以对应于所述第一发光器件至所述第三发光器件,并且包括基质部分和在所述基质部分中的多个颗粒,其中,所述基质部分的远离所述第一发光器件至所述第三发光器件的第一部分包括氟;
第一颜色滤色器层,位于所述低折射率层之上,以对应于所述第一发光器件;
第二颜色滤色器层,位于所述低折射率层之上,以对应于所述第二发光器件;以及
第三颜色滤色器层,位于所述低折射率层之上,以对应于所述第三发光器件。
2.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括位于所述第一发光器件之上的透光层,其中,所述低折射率层位于所述透光层之上。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述基质部分的所述第一部分的每单位体积的氟含量大于所述基质部分的第二部分的每单位体积的氟含量,所述第二部分距所述第一发光器件至所述第三发光器件比所述基质部分的所述第一部分靠近所述第一发光器件至所述第三发光器件。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,越远离所述第一发光器件至所述第三发光器件,所述基质部分中的每单位体积的氟含量越大。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述基质部分的第二部分不包括氟,所述基质部分的所述第二部分距所述第一发光器件至所述第三发光器件比所述基质部分的所述第一部分靠近所述第一发光器件至所述第三发光器件。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述低折射率层的远离所述第一发光器件至所述第三发光器件的第一部分的每单位体积的所述多个颗粒的数量小于所述低折射率层的第二部分的每单位体积的所述多个颗粒的数量,所述低折射率层的所述第二部分距所述第一发光器件至所述第三发光器件比所述低折射率层的所述第一部分靠近所述第一发光器件至所述第三发光器件。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述低折射率层的远离所述第一发光器件至所述第三发光器件的第一部分不包括所述多个颗粒。
8.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括盖层,所述盖层位于所述低折射率层与所述第二颜色量子点层和所述第三颜色量子点层之间,以对应于所述第一发光器件至所述第三发光器件。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述基质部分从所述低折射率层的靠近所述第一发光器件至所述第三发光器件的底表面到所述低折射率层的远离所述第一发光器件至所述第三发光器件的顶表面一体地形成为一体。
10.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底;
第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件,均包括第一颜色发射层并且位于所述基底之上;
第二颜色量子点层,位于所述第二发光器件之上;
第三颜色量子点层,位于所述第三发光器件之上;
低折射率层,位于所述第二颜色量子点层和所述第三颜色量子点层之上以对应于所述第一发光器件至所述第三发光器件,并且包括基质部分和在所述基质部分中的多个颗粒,其中,所述基质部分的靠近所述第一发光器件至所述第三发光器件的第一部分包括氟;
第一颜色滤色器层,位于所述低折射率层之上,以对应于所述第一发光器件;
第二颜色滤色器层,位于所述低折射率层之上,以对应于所述第二发光器件;以及
第三颜色滤色器层,位于所述低折射率层之上,以对应于所述第三发光器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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