[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202110835828.9 | 申请日: | 2021-07-23 |
公开(公告)号: | CN114078910A | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 金昤究;朴志奫;徐奉成;孙廷昊;柳在鎭;李渊熙;全栢均;卓炅善 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 程月;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
提供了一种显示装置,所述显示装置包括:第一发光器件至第三发光器件,均包括第一颜色发射层并且位于基底之上;第二颜色量子点层,位于第二发光器件之上;第三颜色量子点层,位于第三发光器件之上;以及低折射率层,位于第二颜色量子点层和第三颜色量子点层之上以对应于第一发光器件至第三发光器件,并且包括基质部分和在基质部分中的多个颗粒,其中,基质部分的远离第一发光器件至第三发光器件的第一部分包括氟。
本申请要求于2020年8月12日提交的第10-2020-0101399号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示装置,并且更具体地,涉及一种具有高发光效率和简化结构的显示装置。
背景技术
显示装置包括多个像素。在全色显示装置的情况下,多个像素可以发射不同颜色的光。为此,显示装置的至少一些像素可以包括颜色转换单元。因此,由一些像素的发光体产生的第一颜色的光在穿过对应的颜色转换单元的同时被转换为第二颜色的光并透射到外部。
发明内容
根据现有技术的显示装置具有的问题在于,为了提高发光效率,其结构变得复杂。
本公开的一个或更多个实施例的方面涉及一种具有高发光效率和简化结构的显示装置。然而,所公开的实施例和方面是示例,并且本公开不限于此。
附外的方面将部分地在以下描述中阐述,并且部分地将通过描述而明显,或者可以通过所呈现的实施例的实践而获知。
根据一个或更多个实施例,一种显示装置包括:基底;第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件,均包括第一颜色发射层并且位于基底之上;第二颜色量子点层,位于第二发光器件之上;第三颜色量子点层,位于第三发光器件之上;低折射率层,位于第二颜色量子点层和第三颜色量子点层之上以对应于第一发光器件至第三发光器件,并且包括基质部分和在基质部分中的多个颗粒,其中,基质部分的远离第一发光器件至第三发光器件的第一部分包括氟;第一颜色滤色器层,位于低折射率层之上,以对应于第一发光器件;第二颜色滤色器层,位于低折射率层之上,以对应于第二发光器件;以及第三颜色滤色器层,位于低折射率层之上,以对应于第三发光器件。
显示装置还可以包括位于第一发光器件之上的透光层,其中,低折射率层位于透光层之上。
基质部分的第一部分的每单位体积的氟含量可以大于基质部分的第二部分的每单位体积的氟含量,第二部分距第一发光器件至第三发光器件比基质部分的第一部分靠近第一发光器件至第三发光器件。
基质部分的第一部分的每单位体积的氟含量可以大于基质部分的靠近第一发光器件至第三发光器件的第二部分的每单位体积的氟含量。
越远离第一发光器件至第三发光器件,基质部分中的每单位体积的氟含量可以越大。
基质部分的第二部分可以不包括氟,基质部分的第二部分可以距第一发光器件至第三发光器件比基质部分的第一部分靠近第一发光器件至第三发光器件。
低折射率层的第一部分的每单位体积的多个颗粒的数量可以小于低折射率层的第二部分的每单位体积的多个颗粒的数量,低折射率层的第二部分可以距第一发光器件至第三发光器件比低折射率层的第一部分靠近第一发光器件至第三发光器件。
低折射率层的远离第一发光器件至第三发光器件的第一部分的每单位体积的多个颗粒的数量可以小于低折射率层的靠近第一发光器件至第三发光器件的第二部分的每单位体积的多个颗粒的数量。
低折射率层的远离第一发光器件至第三发光器件的第一部分可以不包括多个颗粒。
显示装置还可以包括盖层,盖层位于低折射率层与第二颜色量子点层和第三颜色量子点层之间,以对应于第一发光器件至第三发光器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的