[发明专利]存储器器件，集成电路器件及其操作方法

权利要求书

1.存储器器件，包括：

至少一个位线；

至少一个源极线；

至少一个编程字线；

至少一个读取字线；以及

至少一个存储器单元，包括编程晶体管和读取晶体管，

其中

所述编程晶体管包括：

栅极端子，耦接到所述至少一个编程字线，

第一端子，耦接到所述至少一个源极线，和

第二端子，以及

所述读取晶体管包括：

栅极端子，耦接到所述至少一个读取字线，

第一端子，耦接到所述至少一个位线，和

第二端子，耦接到所述编程晶体管。

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中

所述至少一个存储器单元被配置为存储具有以下任何一个的数据：

第一值，对应于所述编程晶体管的栅极电介质，所述编程晶体管在预定击穿电压或高于预定击穿电压的先前应用下被击穿；和

第二值，对应于未被击穿的栅极电介质。

3.根据权利要求1所述的存储器器件，其中

相同配置所述编程晶体管和所述读取晶体管。

4.根据权利要求1所述的存储器器件，还包括：

控制器，经由所述至少一个位线、所述至少一个源极线、所述至少一个编程字线和所述至少一个读取字线耦接到所述至少一个存储器单元，

其中，在编程操作中所述控制器被配置为，

经由所述至少一个源极线将较高电压施加到所述编程晶体管的所述第一端子，以及

经由所述至少一个编程字线将较低电压施加到所述编程晶体管的所述栅极端子，其中，所述较高电压和所述较低电压之间的电压差等于或高于预定击穿电压以击穿所述编程晶体管的栅极电介质。

5.根据权利要求4所述的存储器器件，其中

在读取操作中所述控制器被配置为：

经由所述至少一个读取字线将导通电压施加到所述读取晶体管的所述栅极端子，以导通所述读取晶体管，

经由对应于所述编程晶体管的所述第一端子和所述栅极端子的所述至少一个源极线和所述至少一个编程字线来施加读取电压，以在所述读取晶体管导通时检测存储在所述至少一个存储器单元中的数据。

6.根据权利要求1所述的存储器器件，其中

所述至少一个位线是多个位线，

所述至少一个源极线是多个源极线，

所述至少一个编程字线是多个编程字线，

所述至少一个读取字线是多个读取字线，

所述至少一个存储器单元是多个存储器单元，每个存储器单元耦接到所述多个位线中的对应位线、所述多个源极线中的相应源极线、所述多个编程字线中的对应编程字线以及所述多个读取字线中的对应读取字线，

存储器器件还包括经由所述多个位线、所述多个源极线、所述多个编程字线和所述多个读取字线耦接到所述多个存储器单元的控制器，以及

在所述多个存储器单元中的所选存储器单元的编程操作中，所述控制器被配置为：

将编程电压施加到与所述所选存储器单元耦接的所述源极线，并将参考电压施加到所述多个源极线中的其他源极线，

将所述参考电压施加到与所述所选存储器单元耦接的编程字线，并将第一电压施加到所述多个编程字线中的其他编程字线，其中，所述第一电压高于所述参考电压并低于所述编程电压，

对于所述多个读取字线中的所述每个读取字线，将所述参考电压施加到每个读取字线或浮置所述每个读取字线，和

将所述参考电压施加到所述多个位线。

7.根据权利要求6所述的存储器器件，其中

所述编程电压和所述参考电压之间的电压差等于或高于预定击穿电压，以在所述所选存储器单元中击穿所述编程晶体管的栅极电介质，

所述编程电压和所述第一电压之间的电压差低于所述预定击穿电压，以避免在所述多个存储器单元中的未选择存储器单元中击穿所述编程晶体管的栅极电介质，

所述第一电压和所述参考电压之间的电压差低于所述预定击穿电压，以避免在所述未选择存储器单元中击穿所述编程晶体管的栅极电介质。