[发明专利]存储器器件，集成电路器件及其操作方法

说明书

本发明的实施例提供了一种存储器器件、集成电路器件及其操作方法。存储器器件，包括至少一个位线、至少一个源极线、至少一个编程字线、至少一个读取字线以及至少一个包括编程晶体管和读取晶体管的存储器单元。编程晶体管包括耦接到至少一个编程字线的栅极端子、耦接到至少一个源极线的第一端子以及第二端子。读取晶体管包括耦接到至少一个读取字线的栅极端子、耦接到至少一个位线的第一端子以及耦接到编程晶体管的第二端子。

技术领域

本发明的实施例涉及存储器器件，集成电路器件及其操作方法。

背景技术

集成电路(IC)器件包括以IC布局图表示的多个半导体器件。IC布局图是分级的，并且包括根据半导体器件设计规范执行更高层级功能的模块。模块通常由单元的组合来构建，每个单元代表被配置为执行特定功能的一个或多个半导体结构。具有预先设计的布局图的单元(有时也称为标准单元)存储在标准单元库(为简化起见，以下称为“库”或“单元库”)中，并可通过各种工具(例如电子设计自动化(EDA)工具)进行存取，以实现以生成、优化和验证IC设计。半导体器件和单元的示例相应地包括存储器器件和存储器单元。

发明内容

根据本发明实施例的一个方面，提供了存储器器件，包括：至少一个位线；至少一个源极线；至少一个编程字线；至少一个读取字线；以及至少一个存储器单元，包括编程晶体管和读取晶体管，

其中编程晶体管包括：栅极端子，耦接到至少一个编程字线，第一端子，耦接到至少一个源极线，和第二端子，以及

读取晶体管包括：栅极端子，耦接到至少一个读取字线，第一端子，耦接到至少一个位线，和第二端子，耦接到编程晶体管。

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种集成电路(IC)器件，包括：第一有源区，沿第一方向延伸；第一对栅极区，沿着横向于第一方向的第二方向横跨第一有源区延伸，其中，第一对栅极区和第一有源区配置第一编程晶体管并且第一读取晶体管共享公共源/漏极区；以及

第一金属层，包括：第一编程字线图案，在第一编程晶体管的栅极区上方并耦接到第一编程晶体管的栅极区，第一读取字线图案，在第一读取晶体管的栅极区上方并耦接到第一读取晶体管的栅极区，第一源极线图案，耦接到第一编程晶体管的另一个源极/漏极区，以及第一位线图案，耦接到第一读取晶体管的另一个源极/漏极区。

根据本发明实施例的又一个方面，提供了一种操作存储器器件的方法，包括：在具有编程晶体管的存储器单元的编程操作中，将更高电压施加到编程晶体管的源极/漏极，将较低电压施加到编程晶体管的栅极，其中，较高电压和较低电压之间的电压差等于或高于预定击穿电压，以击穿编程晶体管的栅极电介质。

附图说明

当结合附图进行阅读取时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据一些实施例的存储器器件的示意性框图。

图2是根据一些实施例的存储器单元的示意性电路图。

图3A至图3B是根据一些实施例的处于各种操作中的存储器器件的示意性电路图。

图4是根据一些实施例的存储器器件的示意性电路图。

图5A-图5C是根据一些实施例的在存储器器件的IC布局图中的各个层处的示意图。

图6A是根据一些实施例的存储器器件的IC布局图的示意图。

图6B是根据一些实施例的存储器器件的IC布局图的示意图。

图7A-图7C是根据一些实施例的存储器器件中的存储器单元的各种布局。

图8是根据一些实施例的IC器件的示意性截面图。