[发明专利]一种腔室漏率检测方法和一种集簇式半导体工艺设备

权利要求书

1.一种腔室漏率检测方法，其特征在于，应用于集簇式半导体工艺设备，所述集簇式半导体工艺设备包括传输平台和位于所述传输平台周围的腔室，所述腔室通过阀门与所述传输平台连接，各个腔室之间相互独立，所述方法包括：

从所述传输平台和所述腔室中确定一个主腔室和所述主腔室的从属腔室；

检测由所述主腔室和所述从属腔室组成的真空腔体的漏率。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从所述传输平台和所述腔室中确定一个主腔室和所述主腔室的从属腔室，包括：

将所述传输平台确定为所述主腔室，将至少一个所述腔室确定为所述从属腔室。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将至少一个所述腔室确定为所述从属腔室，包括：

确定所有的所述腔室对应的标记位的取值，其中，所述取值包括第一取值和第二取值，所述第一取值用于指示所述腔室是所述从属腔室，所述第二取值用于指示所述腔室独立进行漏率检测；

将所述标记位取值为所述第一取值的所述腔室确定为所述从属腔室。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述从所述传输平台和所述腔室中确定一个主腔室和所述主腔室的从属腔室，包括：

将一个所述腔室确定为所述主腔室，将所述传输平台确定为所述从属腔室。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述将一个所述腔室确定为所述主腔室，包括：

确定所述传输平台对应的所有的标记位的取值，其中，所述传输平台对应的所述标记位的数量与所述传输平台所连接的所述腔室的数量相同，所述标记位与所述腔室一一对应，所述取值包括第三取值和第四取值，所述第三取值用于指示所述传输平台为该标记位对应的所述腔室的所述从属腔室，所述第四取值用于指示该标记位对应的所述腔室独立进行漏率检测；

将取值为所述第三取值的标记位对应的所述腔室确定为所述主腔室。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测由所述主腔室和所述从属腔室组成的真空腔体的漏率，包括：

开启所述主腔室和所述从属腔室之间的阀门，以使所述主腔室和所述从属腔室连通；

采用所述主腔室中的真空系统检测由所述主腔室和所述从属腔室组成的真空腔体的漏率。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述开启所述主腔室和所述从属腔室之间的阀门，以使所述主腔室和所述从属腔室连通之前，还包括：

分别在所述主腔室和所述从属腔室进行抽气，以使所述主腔室和所述从属腔室分别处于真空状态。

8.一种集簇式半导体工艺设备，其特征在于，包括传输平台和位于所述传输平台周围的腔室，所述腔室通过阀门与所述传输平台连接，各个腔室之间相互独立，所述集簇式半导体工艺设备还包括：

控制器，用于从所述传输平台和所述腔室中确定一个主腔室和所述主腔室的从属腔室；控制所述主腔室中的真空系统检测由所述主腔室和所述从属腔室组成的真空腔体的漏率。

9.根据权利要求8所述的集簇式半导体工艺设备，其特征在于，所述控制器用于将所述传输平台确定为所述主腔室，将至少一个所述腔室确定为所述从属腔室。

10.根据权利要求8所述的集簇式半导体工艺设备，其特征在于，所述控制器用于将一个所述腔室确定为所述主腔室，将所述传输平台确定为所述从属腔室。