[发明专利]一种腔室漏率检测方法和一种集簇式半导体工艺设备

说明书

本发明实施例提供了一种腔室漏率检测方法和一种集簇式半导体工艺设备，该集簇式半导体工艺设备包括传输平台和位于所述传输平台周围的腔室，所述腔室通过阀门与所述传输平台连接，各个腔室之间相互独立，所述方法包括：从所述传输平台和所述腔室中确定一个主腔室和所述主腔室的从属腔室；检测由所述主腔室和所述从属腔室组成的真空腔体的漏率。根据本发明实施例，可以检测出半导体工艺设备的腔室与平台连接处是否有漏气。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种腔室漏率检测方法和一种集簇式半导体工艺设备。

背景技术

在半导体加工领域，半导体标准(SEMI)中给集群/集簇设备(ClusterTool)所下的定义是由物理上连接在一起的,可以用来处理不同工艺模块和传输模块的集成制造系统。Cluster型机台是半导体设备中重要的一种机型，中间为平台，平台四周悬挂若干个腔室，平台中装有机械手，借助机械手完成各个腔室的取放片操作。半导体机台的各个腔室在工作过程中，内部环境要与外界环境保持着高度隔离状态，任何微漏都会影响工艺结果。一般通过腔室在密闭状态下压强值随时间变化的速率来衡量腔室的漏率，记为压升率。

当腔室与平台连接的位置发生漏气时，通过腔室和平台各自封闭的真空系统测量得到的压升率无法反映腔室与平台连接处的密封状态。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种腔室漏率检测方法和相应的一种集簇式半导体工艺设备。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种腔室漏率检测方法，应用于集簇式半导体工艺设备，所述集簇式半导体工艺设备包括传输平台和位于所述传输平台周围的腔室，所述腔室通过阀门与所述传输平台连接，各个腔室之间相互独立，所述方法包括：

从所述传输平台和所述腔室中确定一个主腔室和所述主腔室的从属腔室；

检测由所述主腔室和所述从属腔室组成的真空腔体的漏率。

可选地，所述从所述传输平台和所述腔室中确定一个主腔室和所述主腔室的从属腔室，包括：

将所述传输平台确定为所述主腔室，将至少一个所述腔室确定为所述从属腔室。

可选地，所述将至少一个所述腔室确定为所述从属腔室，包括：

确定所有的所述腔室对应的标记位的取值，其中，所述取值包括第一取值和第二取值，所述第一取值用于指示所述腔室是所述从属腔室，所述第二取值用于指示所述腔室独立进行漏率检测；

将所述标记位取值为所述第一取值的所述腔室确定为所述从属腔室。

可选地，所述从所述传输平台和所述腔室中确定一个主腔室和所述主腔室的从属腔室，包括：

将一个所述腔室确定为所述主腔室，将所述传输平台确定为所述从属腔室。

可选地，所述将一个所述腔室确定为所述主腔室，包括：

确定所述传输平台对应的所有的标记位的取值，其中，所述传输平台对应的所述标记位的数量与所述传输平台所连接的所述腔室的数量相同，所述标记位与所述腔室一一对应，所述取值包括第三取值和第四取值，所述第三取值用于指示所述传输平台为该标记位对应的所述腔室的所述从属腔室，所述第四取值用于指示该标记位对应的所述腔室独立进行漏率检测；

将取值为所述第三取值的标记位对应的所述腔室确定为所述主腔室。

可选地，所述检测由所述主腔室和所述从属腔室组成的真空腔体的漏率，包括：

开启所述主腔室和所述从属腔室之间的阀门，以使所述主腔室和所述从属腔室连通；

采用所述主腔室中的真空系统检测由所述主腔室和所述从属腔室组成的真空腔体的漏率。