[发明专利]一种测试基板、LLCR测量方法及测试基板测试方法在审

专利信息
申请号: 202110841032.4 申请日: 2021-07-23
公开(公告)号: CN113539349A 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 张迎华;蒲嘉鹏;肖晟熙;郑磊;刘佳劲;刘喆旻 申请(专利权)人: 曙光信息产业股份有限公司
主分类号: G11C29/50 分类号: G11C29/50
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 衡滔
地址: 300450 天津市滨海高新区*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 测试 llcr 测量方法 方法
【权利要求书】:

1.一种测试基板,其特征在于,包括:

基板;

内存插槽,设置于所述基板上,用于连接内存;

测试端子,设置于所述基板上,所述测试端子的数量与所述内存插槽的接触点的总数量相同,一个接触点对应连接一个所述测试端子,从而利用所述测试端子来替代内存金手指进行LLCR测试。

2.根据权利要求1所述的测试基板,其特征在于,所述内存插槽的数量为多个并间隔设置。

3.根据权利要求1或2所述的测试基板,其特征在于,所述测试端子按照所述内存插槽的接触点的顺序排列,每一个所述测试端子的周边均备注有序号,不同测试端子对应的序号不同。

4.一种LLCR测量方法,其特征在于,包括:

将待测内存条插接于测试基板的内存插槽中;

利用测量仪器测量所述测试基板上每一对测试端子的接触阻抗值,其中,所述内存插槽的每一个接触点在所述测试基板上都连接一个所述测试端子;

将所测量的接触阻抗值与标准接触阻抗值进行比对,得到比对结果;

根据比对结果判断所述待测内存条是否合格。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,利用测量仪器测量所述测试基板上每一对测试端子的接触阻抗值,包括:

利用测量仪器按照所述测试端子备注的序号顺序,依次测量相邻两测试端子间的接触阻抗值。

6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在将所测量的接触阻抗值与标准接触阻抗值进行比对之前,所述方法还包括:

将作为基准的内存条插接于测试基板的内存插槽中;

利用所述测量仪器测量插接有所述作为基准的内存条的测试基板上每一对测试端子的接触阻抗值,该接触阻抗值即为所述标准接触阻抗值。

7.一种测试基板测试方法,其特征在于,包括:

在同一测试条件下,分别对第一内存条和插接有第二内存条的测试基板进行LLCR测试,得到第一测试结果和第二测试结果,其中,所述测试基板包括内存插槽和测试端子,所述内存插槽的每一个接触点在所述测试基板上都连接一个所述测试端子,所述第一内存条和所述第二内存条为具有相同属性的内存条;

基于所述第一测试结果和所述第二测试结果,判断所述测试基板是否可靠。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,分别对第一内存条和插接有第二内存条的测试基板进行LLCR测试,得到第一测试结果和第二测试结果,包括:

将所述第一内存条放置于腐蚀测量环境中,测量所述第一内存条的金手指的每一对PIN管脚的接触阻抗值,得到第一测量接触阻抗值;

将所述第一测量接触阻抗值与第一预设标准测量接触阻抗值进行比对,得到所述第一测试结果;

将插接有第二内存条的测试基板放置于所述腐蚀测量环境中,测量该测试基板上每一对测试端子的接触阻抗值,得到第二测量接触阻抗值;

将所述第二测量接触阻抗值与第二预设标准测量接触阻抗值进行比对,得到所述第二测试结果。

9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,分别对第一内存条和插接有第二内存条的测试基板进行LLCR测试,得到第一测试结果和第二测试结果,包括:

将已插拔N次的第一内存条放置于腐蚀测量环境中,测量所述已插拔N次的第一内存条的金手指的每一对PIN管脚的接触阻抗值,得到第一测量接触阻抗值;

将所述第一测量接触阻抗值与第一预设标准测量接触阻抗值进行比对,得到所述第一测试结果;

将插接有已插拔N次的第二内存条的测试基板放置于所述腐蚀测量环境中,测量该测试基板上每一对测试端子的接触阻抗值,得到第二测量接触阻抗值;

将所述第二测量接触阻抗值与第二预设标准测量接触阻抗值进行比对,得到所述第二测试结果,N为大于1的正整数。

10.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,分别对第一内存条和插接有第二内存条的测试基板进行LLCR测试,得到第一测试结果和第二测试结果,包括:

分别对第一内存条和插接有第二内存条的测试基板在腐蚀测量环境中进行LLCR测试,得到腐蚀测量环境下的第一测试结果和腐蚀测量环境下的第二测试结果;

分别对已插拔N次的第一内存条和插接有已插拔N次的第二内存条的测试基板进行LLCR测试,得到插拔破坏环境下的第一测试结果和插拔破坏环境下的第二测试结果,N为大于1的正整数。

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