[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

基板；

第一氮化物半导体层，设置于所述基板上；

第二氮化物半导体层，设置于所述第一氮化物半导体层的上方，与所述第一氮化物半导体层相比带隙大；

第一布线，设置于所述第二氮化物半导体层的上方，沿与所述基板的基板面平行的第一方向延伸；

第一源极电极，设置于所述第二氮化物半导体层的上方，与所述第一布线电连接，沿与所述基板面平行且与第一方向交叉的第二方向延伸；

第一栅极电极，设置于所述第二氮化物半导体层的上方，沿所述第二方向延伸；以及

第一漏极电极，具有：

第一漏极布线，设置于所述第二氮化物半导体层的上方，沿所述第二方向延伸；

第二漏极布线，设置于所述第二氮化物半导体层的上方，沿所述第二方向延伸；

第一元件分离区域，设置于所述第一漏极布线与所述第二漏极布线之间的下方的所述第二氮化物半导体层；和

第三漏极布线，设置于所述第一漏极布线及所述第二漏极布线的上方，沿所述第二方向延伸，

在第三漏极布线上设置有第一多个孔，该第一多个孔包括：第一孔、与所述第一孔相比距所述第三漏极布线的前端远的第二孔和与所述第二孔相比距所述第三漏极布线的前端远的第三孔，

所述第一孔与所述第二孔之间的第一距离比所述第二孔与所述第三孔之间的第二距离短。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一源极电极具有：

沿所述第二方向延伸的第一源极布线，

沿所述第二方向延伸的第二源极布线；

第二元件分离区域，设置于所述第一源极布线与所述第二源极布线之间的下方的所述第二氮化物半导体层；和

第三源极布线，设置于所述第一源极布线及所述第二源极布线的上方，且沿所述第二方向延伸，

在所述第三源极布线上设置有第二多个孔，该第二多个孔包括：第四孔、与所述第四孔相比距所述第三源极布线的前端远的第五孔和与所述第五孔相比距所述第三源极布线的前端远的第六孔，

所述第四孔与所述第五孔之间的第三距离比所述第五孔与所述第六孔之间的第四距离短。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第一距离与所述第三距离相等，所述第二距离与所述第四距离相等。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

还具备第二漏极电极，该第二漏极电极具有：

第四漏极布线，设置于所述第二氮化物半导体层的上方，沿所述第二方向延伸；

第五漏极布线，设置于所述第二氮化物半导体层的上方，沿所述第二方向延伸；

第三元件分离区域，设置于所述第四漏极布线与所述第五漏极布线之间的下方的所述第二氮化物半导体层；和

第六漏极布线，设置于所述第四漏极布线及所述第五漏极布线的上方，沿所述第二方向延伸，

在所述第六漏极布线上设置有第三多个孔，该第三多个孔包括：第七孔、与所述第七孔相比距所述第三漏极布线的前端远的第八孔和与所述第八孔相比距所述第三漏极布线的前端远的第九孔，

所述第七孔与所述第八孔之间的第五距离比所述第八孔与所述第九孔之间的第六距离短。