[发明专利]半导体装置

说明书

提供降低了输出电容的半导体装置，具备：基板；第一氮化物半导体层，设置于基板上；第二氮化物半导体层，设置于第一氮化物半导体层的上方，带隙比第一氮化物半导体层大；第一布线，设置于第二氮化物半导体层的上方，沿第一方向延伸；第一源极电极及第一栅极电极，设置于第二氮化物半导体层的上方并沿第二方向延伸，第一源极电极与第一布线电连接；及第一漏极电极，具有：沿第二方向延伸的第一至第三漏极布线及第一元件分离区域，在第三漏极布线上设置有包括第一孔、与第一孔相比距第三漏极布线的前端远的第二孔和与第二孔相比距第三漏极布线的前端远的第三孔的第一多个孔，第一孔与第二孔的第一距离比第二孔与第三孔的第二距离短。

[相关申请]

本申请享受以日本专利申请2021-49303号(申请日：2021年3月23日)为基础申请的优先权。本申请通过参考此基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置。

背景技术

作为下一代的功率半导体器件用的材料，III族氮化物例如GaN(氮化镓)系半导体备受期待。GaN基半导体与Si(硅)相比较，具有更大的带隙。因此，GaN系半导体器件与Si(硅)半导体器件相比较，能够实现小型且高耐压的功率半导体器件。

发明内容

本发明的实施方式提供一种降低了输出电容的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备：基板；第一氮化物半导体层，设置于基板上；第二氮化物半导体层，设置于第一氮化物半导体层的上方，与第一氮化物半导体层相比带隙大；第一布线，设置于第二氮化物半导体层的上方，沿与基板的基板面平行的第一方向延伸；第一源极电极，设置于第二氮化物半导体层的上方，与第一布线电连接，沿与基板面平行且与第一方向交叉的第二方向延伸；第一栅极电极，设置于第二氮化物半导体层的上方，沿第二方向延伸；以及第一漏极电极，具有：第一漏极布线，设置于第二氮化物半导体层的上方，沿第二方向延伸；第二漏极布线，设置于第二氮化物半导体层的上方，沿第二方向延伸；第一元件分离区域，设置于第一漏极布线与第二漏极布线之间的下方的第二氮化物半导体层；和第三漏极布线，设置于第一漏极布线及第二漏极布线的上方，沿第二方向延伸，在第三漏极布线上设置有第一多个孔，该第一多个孔包括第一孔、与第一孔相比距第三漏极布线的前端远的第二孔和与第二孔相比距第三漏极布线的前端远的第三孔，第一孔与第二孔之间的第一距离比第二孔与第三孔之间的第二距离短。

附图说明

图1是第一实施方式的半导体装置的主要部分的示意俯视图。

图2是第一实施方式的半导体装置的主要部分的示意剖视图。

图3的(a)、(b)是第一实施方式的半导体装置的主要部分的示意剖视图。

图4的(a)、(b)是第一实施方式的半导体装置的主要部分的示意剖视图。

图5的(a)、(b)是第一实施方式的半导体装置的主要部分的示意剖视图。

图6是第一实施方式的半导体装置的主要部分的示意俯视图。

图7的(a)～(c)是第一实施方式的半导体装置的主要部分的示意剖视图。

图8是第一实施方式的另一例中的半导体装置的主要部分的示意剖视图。

图9是第一实施方式的另一例中的半导体装置的主要部分的示意剖视图。

图10是第一实施方式的另一例中的半导体装置的主要部分的示意剖视图。

图11的(a)、(b)是说明第一实施方式的半导体装置的作用效果的图。

图12的(a)、(b)是第二实施方式的半导体装置的主要部分的示意俯视图。

图13的(a)、(b)是第三实施方式的半导体装置的主要部分的示意俯视图。