[发明专利]一种基于ReSe2 在审
| 申请号： | 202110842986.7 | 申请日： | 2021-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN113611761A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 肖静;林志涛 | 申请（专利权）人： | 泰山学院 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/032;H01L31/113;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州专才专利代理事务所(普通合伙) 44679 | 代理人： | 林玲 |
| 地址： | 271000*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 rese base sub | ||
1.一种基于ReSe2/CsPbI3钙钛矿量子点杂化的宽谱光电探测器，其特征在于，包括SiO2/Si基底以及设置于SiO2/Si基底上的对电极，所述对电极之间设置成沟道；
所述沟道上设置有ReSe2/CsPbI3异质结层，且所述ReSe2/CsPbI3异质结层延伸至与对电极连接，所述ReSe2/CsPbI3异质结层包括二维ReSe2纳米片以及设置于所述二维ReSe2纳米片上的CsPbI3钙钛矿量子点。
2.如权利要求1所述的基于ReSe2/CsPbI3钙钛矿量子点杂化的宽谱光电探测器，其特征在于，所述ReSe2/CsPbI3异质结层的厚度为50μm以下，所述二维ReSe2纳米片的厚度为100nm以下，所述CsPbI3钙钛矿量子点的粒径为30nm以下。
3.如权利要求1所述的基于ReSe2/CsPbI3钙钛矿量子点杂化的宽谱光电探测器，其特征在于，所述二维ReSe2纳米片的厚度为1～30nm，所述二维ReSe2纳米片的横向尺寸为20～50μm。
4.如权利要求1所述的基于ReSe2/CsPbI3钙钛矿量子点杂化的宽谱光电探测器，其特征在于，所述CsPbI3钙钛矿量子点的粒径为1～20nm。
5.一种基于ReSe2/CsPbI3钙钛矿量子点杂化的宽谱光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
转移ReSe2纳米片：提供SiO2/Si基底和粘有二维ReSe2纳米片的PDMS，将所述SiO2/Si基底放置于转移平台上，再将PDMS粘有二维ReSe2纳米片的一面与SiO2/Si基底的绝缘层面贴合，静置5～30min后将PDMS与SiO2/Si基底分离，得到二维ReSe2纳米片转移至SiO2/Si基底的初始电极；
制备基于ReSe2/CsPbI3钙钛矿量子点杂化的电极：提供含有CsPbI3钙钛矿量子点的有机溶剂，取含有CsPbI3钙钛矿量子点的有机溶剂旋涂于初始电极上并覆盖二维ReSe2纳米片，得到ReSe2/CsPbI3异质结层，在SiO2/Si基底上沉积对电极以使对电极与ReSe2/CsPbI3异质结层连接，得到基于ReSe2/CsPbI3钙钛矿量子点杂化的电极；
组装探测器：将基于ReSe2/CsPbI3钙钛矿量子点杂化的电极组装成基于ReSe2/CsPbI3钙钛矿量子点杂化的宽谱光电探测器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰山学院，未经泰山学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110842986.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
