[发明专利]一种基于ReSe2

说明书

本发明提供了一种基于ReSe₂/CsPbI₃钙钛矿量子点杂化的宽谱光电探测器，包括SiO₂/Si基底以及设置于SiO₂/Si基底上的对电极，所述对电极之间设置成沟道；所述沟道上设置有ReSe₂/CsPbI₃异质结层，且所述ReSe₂/CsPbI₃异质结层延伸至与对电极连接，所述ReSe₂/CsPbI₃异质结层包括二维ReSe₂纳米片以及设置于所述二维ReSe₂纳米片上的CsPbI₃钙钛矿量子点。本发明基于ReSe₂/CsPbI₃钙钛矿量子点杂化的宽谱光电探测器在可见光波段借助于CsPbI₃钙钛矿量子点的光生电子效应表现出各向同性的特征，而在近红外波段CsPbI3钙钛矿量子点可视作透明材料，借助于二硒化铼纳米片的光生电子效应和各向异性效应，从而表现出各向异性特性。本发明还提供了基于ReSe₂/CsPbI₃钙钛矿量子点杂化的宽谱光电探测器的制备方法。

技术领域

本发明涉及半导体电子器件领域，具体涉及一种基于ReSe₂/CsPbI₃钙钛矿量子点杂化的宽谱光电探测器及其制备方法。

背景技术

二硒化铼(ReSe₂)由于其独特的晶体结构对称性，表现出稳定的扭曲1T相和强烈的面内各向异性。ReSe₂从单层到体材料的带隙为1.3eV到1.1eV，这使得它成为在宽带光区域构建高性能光电探测器的理想候选。此外，ReSe₂的强面内各向异性特性也引起了开发高性能偏振光电探测器的广泛关注。然而，与VI族TMD光电探测器应用相比，与ReSe₂相关的光电探测器表现出较差的光响应性，并且关于二维ReSe₂异质结光电探测器的报道很少。因此，将强光吸收材料与二维ReSe₂相结合的方法对于实现宽带光电探测器是有价值的。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种基于ReSe₂/CsPbI₃钙钛矿量子点杂化的宽谱光电探测器及其制备方法，以解决现有的光电探测器存在的光响应性能差、吸收能量弱、在可见光波段几乎不产生光电效应等缺陷。

第一方面，本发明提供了一种基于ReSe₂/CsPbI₃钙钛矿量子点杂化的宽谱光电探测器，包括SiO₂/Si基底以及设置于SiO₂/Si基底上的对电极，所述对电极之间设置成沟道；

所述沟道上设置有ReSe₂/CsPbI₃异质结层，且所述ReSe₂/CsPbI₃异质结层延伸至与对电极连接，所述ReSe₂/CsPbI₃异质结层包括二维ReSe₂纳米片以及设置于所述二维ReSe₂纳米片上的CsPbI₃钙钛矿量子点。