[发明专利]一种带凹槽结构的肖特基二极管

说明书

本发明提供一种带凹槽结构的肖特基二极管，包括：半导体衬底；半导体层，设置于半导体衬底上，半导体层的上表面依次开设有多个凹槽、第一限位槽和多个第二限位槽；肖特基势垒层，设置于半导体层上；第一接触层，设置于肖特基势垒层上，分别与肖特基势垒层和第一电极电连接；第二接触层，设置于半导体层上除肖特基势垒层之外的区域，与半导体层电连接。本发明的带沟槽结构的肖特基二极管，各凹槽形成肖特基二极管的有源区，在研究如何制造出反向漏电流较小的二极管时，只要改变各凹槽之间的距离进行测试即可，无需重新设计并制造出不同的二极管，一定程度上提升了研究的便利性且减少了成本。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种带凹槽结构的肖特基二极管。

背景技术

目前，二极管的反向漏电流越小，其单向导电性越好，但是，在研究如何制造出反向漏电流较小的二极管时，需不断制造再进行测试，十分复杂且成本巨大。

发明内容

本发明目的之一在于提供了一种带凹槽结构的肖特基二极管，各凹槽形成肖特基二极管的有源区，在研究如何制造出反向漏电流较小的二极管时，只要改变各凹槽之间的距离进行测试即可，无需重新设计并制造出不同的二极管，一定程度上提升了研究的便利性且减少了成本。

本发明实施例提供的一种带凹槽结构的肖特基二极管，包括：

半导体衬底；

半导体层，设置于半导体衬底上，半导体层的上表面依次开设有多个凹槽、第一限位槽和多个第二限位槽；凹槽的内外壁覆盖有第一绝缘层，第一限位槽的内外壁覆盖有第二绝缘层，第二限位槽的内外壁覆盖有第三绝缘层；凹槽和第一限位槽内分别设置有第一电极，第二限位槽内设置有第二电极；

肖特基势垒层，设置于半导体层上，肖特基势垒层覆盖凹槽、各凹槽之间形成多个第一凸脊的表面、第一限位槽和与第一限位槽相邻的凹槽之间形成第二凸脊的表面和第一限位槽开口区域中除背离凹槽的方向的外壁之外的区域；

第一接触层，设置于肖特基势垒层上，分别与肖特基势垒层和第一电极电连接，第一接触层的上侧部分向背离凹槽的方向延伸；

第二接触层，设置于半导体层上除肖特基势垒层之外的区域，与半导体层电连接。

优选的，半导体衬底的第一杂质浓度大于半导体层的第二杂质浓度。

优选的，各凹槽形成肖特基二极管的有源区。

优选的，各凹槽具有相同的第一宽度，第一限位槽的第二宽度大于等于第一宽度；

第二宽度小于等于二极管雪崩击穿电压下空间电荷区宽度的一半。

优选的，第一接触层的上侧部分向背离凹槽的方向延伸的延伸部分覆盖于第二接触层上，延伸部分的长度大于等于二极管雪崩击穿电压时半导体层中空间电荷区的宽度。

优选的，凹槽、第一限位槽和第二限位槽的深度相同。

优选的，第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的厚度相同。

优选的，半导体衬底和半导体层的导电类型不同。

优选的，各第一凸脊的宽度值的确定步骤如下：

获取肖特基二极管的除宽度值之外的多个参数；

基于预设的影响值对照库，确定参数对应的影响值；

从多个参数中剔除掉影响值小于等于预设的影响值阈值的影响值，完成剔除后，获得多个目标参数；

获取预设的测试宽度值集合，对测试宽度值集合进行预处理，完成预处理后，获得目标测试宽度值集合；