[发明专利]一种温度感应电路在审
申请号: | 202110843430.X | 申请日: | 2021-07-26 |
公开(公告)号: | CN113566997A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 柳婧;傅俊寅;汪之涵;黄辉;王伟 | 申请(专利权)人: | 深圳青铜剑技术有限公司 |
主分类号: | G01K7/16 | 分类号: | G01K7/16 |
代理公司: | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人: | 赵胜宝 |
地址: | 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 温度 感应 电路 | ||
1.一种温度感应电路,其特征在于,所述温度感应电路包括偏置电流单元、负温度系数产生单元、正温度系数产生单元和整合输出单元;
所述偏置电流单元将电流偏置给所述负温度系数产生单元和正温度系数产生单元,所述负温度系数产生单元根据偏置电流产生一路负温度系数电流,所述正温度系数产生单元根据所述偏置电流产生一路正温度系数电流,所述整合输出单元将所述正温度系数电流、所述负温度系数电流相减得到温度系数电流变化范围增加的输出电压。
2.根据权利要求1所述的温度感应电路,其特征在于,所述温度感应电路还包括:启动开关单元,所述启动开关单元在输入电压高于预设电压阈值时导通。
3.根据权利要求2所述的温度感应电路,其特征在于,所述偏置电流单元包括电流源、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管;所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和所述第四PMOS管的源极连接于外部低压电源,所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和所述第四PMOS管的栅极连接于所述第一PMOS管的漏极并接到所述电流源一端,所述电流源另一端接地,所述第二PMOS管、第三PMOS管和所述第四PMOS管的漏极连接于后级电路。
4.根据权利要求3所述的温度感应电路,其特征在于,所述负温度系数产生单元包括第一三极管和第一电阻;所述第一三极管的集电极连接于所述第二PMOS管的漏极、基极连接于所述第一电阻输入端。
5.根据权利要求4所述的温度感应电路,其特征在于,所述正温度系数产生单元包括第二三极管、第三三极管、第四三极管和第二电阻、第三电阻;所述第二三极管的集电极、基极和所述第三三极管的基极连接于所述第三PMOS管的漏极,所述第二三极管的发射极和所述第四三极管的发射极连接于所述第二电阻的输入端,所述第三三极管的集电极连接于所述第四PMOS管的漏极,所述第三三极管的发射极连接于所述第三电阻的输入端,所述第四三极管的基极连接于所述第三三极管的集电极。
6.根据权利要求5所述的温度感应电路,其特征在于,所述启动开关单元包括第一NMOS管和第二NMOS管;所述第一NMOS管和第二NMOS管的栅极连接于所述第二PMOS管的漏极,所述第一NMOS管的源极连接于所述第一电阻的输入端,所述第二NMOS管的源极连接于所述第四三极管的集电极。
7.根据权利要求6所述的温度感应电路,其特征在于,所述整合输出单包括第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第四电阻;所述第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管和第八PMOS管的源极连接于所述低压电源,所述第五PMOS管、第六PMOS管的栅极连接于所述第五PMOS管的漏极并接入所述第二NMOS管的漏极,所述第七PMOS管、第八PMOS管的栅极连接于所述第七PMOS管的漏极并接入所述第一NMOS管的漏极,所述第六PMOS管的漏极接入所述第四电阻的输入端并连接于所述第三NMOS管的漏极,所述第八PMOS管的漏极接入所述第四NMOS管的漏极并连接于所述第三NMOS管和第四NMOS管的栅极。
8.根据权利要求7所述的温度感应电路,其特征在于,所述第一三极管的发射极,所述第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻的输出端,所述第三NMOS管、第四NMOS管的源极连接并接地。
9.根据权利要求8所述的温度感应电路,其特征在于,所述第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻中电阻单体的类型和尺寸相同,以及所述电阻单体的个数不同。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳青铜剑技术有限公司,未经深圳青铜剑技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110843430.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。