[发明专利]一种温度感应电路在审

专利信息
申请号: 202110843430.X 申请日: 2021-07-26
公开(公告)号: CN113566997A 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 柳婧;傅俊寅;汪之涵;黄辉;王伟 申请(专利权)人: 深圳青铜剑技术有限公司
主分类号: G01K7/16 分类号: G01K7/16
代理公司: 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 代理人: 赵胜宝
地址: 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 温度 感应 电路
【说明书】:

发明提供了一种温度感应电路,包括有偏置电流单元、启动开关单元、负温度系数产生单元、正温度系数产生单元和整合输出单元,利用正温度系数产生单元和负温度系数产生单元中的三极管的正负温度特性分别得到一路正温度特性与一路负温度特性的电流,正温度系数电流减去负温度系数电流或负温度系数电流减去正温度系数电流得到放大输出电压范围,且得到的温度系数曲线不受MOS管、电阻等工艺偏差的影响,更加精确稳定,电路简单面积小易于实现。

技术领域

本发明属于电子技术领域,涉及一种温度感应电路。

背景技术

在相关技术中,芯片集成温度感应电路如图1所示,需要芯片输出具有一定正温度系数的模拟电压信号反馈给信号处理器,处理器根据模拟电压信号判断芯片温度,从而在过温时控制输入信号的关断。处理器接收到的温度感应电压变化范围有一定的要求,但是单靠工艺提供的具有正温度系数的电阻温度变化系数较小。且电阻本身也存在非常大的工艺偏差,实际做出来随温度变化的电压范围也会存在非常大的偏差造成信号处理器对温度的误判断。

发明内容

本发明提供一种温度感应电路,解决相关技术中温度感应电路受电阻工艺偏差的影响及温度变化系数小造成的温度检测不准确的问题。

为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:

本发明提供一种温度感应电路,所述温度感应电路包括偏置电流单元、负温度系数产生单元、正温度系数产生单元和整合输出单元;

所述偏置电流单元将电流偏置给所述负温度系数产生单元和正温度系数产生单元;所述负温度系数产生单元根据偏置电流产生一路负温度系数电流;所述正温度系数产生单元根据所述偏置电流产生一路正温度系数电流;所述整合输出单元将所述正温度系数电流、所述负温度系数电流相减得到温度系数电流变化范围增加的输出电压。

作为优选地,所述温度感应电路还包括:启动开关单元,所述启动开关单元在输入电压高于预设电压阈值时导通。

作为优选地,所述偏置电流单元包括电流源、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管;所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和所述第四PMOS管的源极连接于外部低压电源,所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和所述第四PMOS管的栅极连接于所述第一PMOS管的漏极并接到所述电流源一端,所述电流源另一端接地,所述第二PMOS管、第三PMOS管和所述第四PMOS管的漏极连接于后级电路。

作为优选地,所述负温度系数产生单元包括第一三极管和第一电阻;所述第一三极管的集电极连接于所述第二PMOS管的漏极、基极连接于所述第一电阻输入端。

作为优选地,所述正温度系数产生单元包括第二三极管、第三三极管、第四三极管和第二电阻、第三电阻;所述第二三极管的集电极、基极和所述第三三极管的基极连接于所述第三PMOS管的漏极,所述第二三极管的发射极和所述第四三极管的发射极连接于所述第二电阻的输入端,所述第三三极管的集电极连接于所述第四PMOS管的漏极,所述第三三极管的发射极连接于所述第三电阻的输入端;所述第四三极管的基极连接于所述第三三极管的集电极。

作为优选地,所述启动开关单元包括第一NMOS管和第二NMOS管;所述第一NMOS管和第二NMOS管的栅极连接于所述第二PMOS管的漏极,所述第一NMOS管的源极连接于所述第一电阻的输入端,所述第二NMOS管的源极连接于所述第四三极管的集电极。

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