[发明专利]一种雷达隐身方法

权利要求书

1.一种雷达隐身方法，其特征是：

以三氟化硼（BF3）、甲烷（CH₄）、氢气为原料，氦为载气，生产碳化硼（B₄C）纳米颗粒；

以三氟化硼（BF3）、氨、氢气为原料，氦为载气，生产氮化硼（BN）纳米颗粒；

以外购高纯碳化硅为原料；，以氦为载气，生产碳化硅纳米颗粒；

以高纯硅粉和高纯氮气为原料，以高纯氮气为载气，生产氮化硅纳米颗粒（Si₃N₄）；

一，所述的碳化硼纳米颗粒的制备方法：将辅助气体Ar、H₂先后导入等离子体发生器，开启等离子体发生电源，形成等离子体射流，再与三氟化硼和甲烷气体一起进入等离子反应器，在等离子反应器中形成等离子态富集硼-10碳化硼和气态氟化氢（HF），等离子态富集硼-10碳化硼（¹⁰B₄C）在等离子反应器的器壁上冷凝生成富集硼-10碳化硼（¹⁰B₄C）纳米颗粒，所述纳米颗粒粒径为20纳米-70纳米，刮料板将富集硼-10碳化硼粉末从器壁刮落，由螺杆输送机输送进旋风分离产品罐中，等离子反应器中产生的氟化氢气体以及未反应的甲烷、氢气、氦气经旋风分离产品罐与产品碳化硼颗粒分离后，从旋风分离产品罐顶部出来进入吸收塔，上述气体中的氟化氢被吸收塔中的水吸收，随釜液去水处理装置，甲烷、氢气、氦气则从吸收塔顶出来，经干燥器干燥脱水，由压缩机压缩返回到等离子体发生器，循环使用；

二，所述的氮化硼纳米颗粒的生产方法：

以三氟化硼、氨气原料，以氦气为载气，将氢气与氦气先后导入等离子体发生器中，开启等离子体发生电源，形成等离子体射流，再与三氟化硼、氨气一起进入等离子反应器，在等离子反应器中生成等离子态氮化硼（BN）和气态氟化氢，等离子态氮化硼在等离子变压器冷却壁上激冷，沉积形成纳米氮化硼（BN）颗粒；所述纳米颗粒粒径为20纳米-70纳米，氮化硼纳米颗粒经螺杆输送刮板机收集输送进旋风分离产品罐中，不凝尾气从旋风分离产品罐顶部出来进入吸收塔，上述气体中的氟化氢和氨气被吸收塔中的水吸收，随釜液去水处理装置，氢气、氦气则从吸收塔顶出来，经干燥器干燥脱水，由压缩机压缩返回到静态混合器，循环使用；

三，碳化硅纳米颗粒的生产方法；

以高纯度碳化硅为原料，氦气为载气，对微米级碳化硅颗粒先进行加热、气化的预处理，所述预处理在一个等离子体预加热器中进行，采用气流输送，将碳化硅颗粒送入上述等离子体预加热器中，碳化硅颗粒在等离子体预加热器中被加热至气态，碳化硅气体与氦气一起进入等离子反应器，碳化硅气体发生电离，再次组合成等离子状态的碳化硅，等离子状态的碳化硅在等离子反应器冷却壁上激冷，形成粒径为20纳米—70纳米的碳化硅纳米颗粒，碳化硅纳米颗粒经螺杆输送刮板机收集输送进旋风分离产品罐中，不凝尾气为氦气，氦气从旋风分离产品罐顶部出来经吸收塔、干燥器、压缩机回到等离子预加热器作为气流输送的载气；

四，氮化硅（Si₃N₄）纳米颗粒的生产方法；

以高纯度硅粉和高纯氮气为原料，高纯氮气同时兼做载气，利用氮气作为气流输送载体和加热载气，将所述硅粉送入等离子体预加热器中，硅粉在等离子体预加热器中加热气化，硅气体与氮气一起进入等离子反应器，气体硅和氮气发生电离，组合成等离子状态的氮化硅，等离子状态的氮化硅在等离子反应器冷却壁上激冷，形成粒径为20纳米—70纳米的氮化硅纳米颗粒，氮化硅纳米颗粒经螺杆输送刮板机收集输送进旋风分离产品罐中，不凝尾气为氮气，氮气从旋风分离产品罐顶部出来经吸收塔、干燥器、压缩机回到等离子预加热器作为气流输送的载气；

利用等离子喷镀技术，将碳化硼、氮化硼、碳化硅、氮化硅的纳米颗粒分别送入等离子射流机中，使之软化，再将这种粒子高速喷射到经打磨处理的工件基体上，形成纳米无机颗粒的镀层；

上述四种无机物纳米颗粒可进行任意组合，在目标物表面形成复合镀层。

2.按照权利要求1所述的一种雷达隐身方法，其特征是：将碳化硅、氮化硼、氮化硅、碳化硼的纳米颗粒分别喷射到工件基体上，然后按该次序重复喷镀一遍，形成四种无机物纳米颗粒的复合镀层。