[发明专利]硅芯阻值检测电路、方法和系统在审
申请号: | 202110845848.4 | 申请日: | 2021-07-26 |
公开(公告)号: | CN113567747A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 周英怀;邓长春;唐亮 | 申请(专利权)人: | 四川英杰电气股份有限公司 |
主分类号: | G01R27/14 | 分类号: | G01R27/14 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 张欣欣 |
地址: | 618000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阻值 检测 电路 方法 系统 | ||
本发明实施例提出一种硅芯阻值检测电路、方法和系统,涉及检测技术领域。该电路包括控制单元、供电变压器、至少一个检测开关、检测变压器、电流检测器件和电压检测器件,供电变压器的二次绕组通过该至少一个检测开关与检测变压器的低压绕组电连接,检测变压器的高压绕组与硅芯电连接,电流检测器件串联于供电变压器的二次绕组与检测变压器的低压绕组构成的回路上,电压检测器件并联于检测变压器的低压绕组上。控制单元通过控制至少一个检测开关的通断,并根据电流检测器件的电流检测值和电压检测器件的电压检测值推算硅芯的阻值,实现了硅芯阻值的自动检测,提高了硅芯阻值检测的效率和可靠性。
技术领域
本发明涉及检测技术领域,具体而言,涉及一种硅芯阻值检测电路、方法和系统。
背景技术
多晶硅主流生产工艺多为改良西门子法,应用该工艺的多晶硅还原炉生产中,供电设备以多晶硅硅芯为负载,对其施加数千伏的高电压使其导通流过电流,电流通过硅芯产生热量使得还原炉的温度在生产过程中维持硅芯生产的温度条件。
还原炉起炉前,需要对硅芯阻值进行检测,以避免因硅芯本身质量或安装问题导致硅芯倒伏从而导致电路异常,或者因电极与底盘间的绝缘材料烧熔老化或无定型硅粘附绝缘材料导致电路异常。
目前主要依靠人工对硅芯阻值进行检测,以避免上述问题,通常采用兆欧表或耐压测试仪测量电阻,检测效率低且检测可靠性因人而异,并且操作现场环境恶劣,还存在安全隐患。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种硅芯阻值检测电路、方法和系统,以提高硅芯阻值检测的效率和可靠性。
为了实现上述目的,本发明实施例采用的技术方案如下:
第一方面,本发明提供一种硅芯阻值检测电路,包括控制单元、供电变压器、至少一个检测开关、检测变压器、电流检测器件和电压检测器件,所述供电变压器的二次绕组通过所述至少一个检测开关与所述检测变压器的低压绕组电连接,所述检测变压器的高压绕组与硅芯电连接;所述电流检测器件串联于所述供电变压器的二次绕组与所述检测变压器的低压绕组构成的回路上,所述电压检测器件并联于所述检测变压器的低压绕组上;所述至少一个检测开关、所述电流检测器件和所述电压检测器件均与所述控制单元电连接;
所述电流检测器件用于检测所述检测变压器的输入电流;
所述电压检测器件用于检测所述检测变压器的输入电压;
所述控制单元用于控制所述至少一个检测开关的通断;还用于根据所述电流检测器件的电流检测值和所述电压检测器件的电压检测值,推算所述硅芯的阻值。
在可选的实施方式中,所述至少一个检测开关包括第一检测开关和第二检测开关,所述供电变压器的二次绕组上设置有第一抽头、第二抽头和公共点,所述第一抽头通过所述第一检测开关与所述检测变压器的低压绕组的一端电连接,所述第二抽头通过所述第二检测开关与所述检测变压器的低压绕组的一端电连接,所述检测变压器的低压绕组的另一端与所述公共点电连接,所述第一检测开关和所述第二检测开关均与所述控制单元电连接,且所述第一检测开关和所述第二检测开关合闸相互闭锁。
在可选的实施方式中,所述硅芯阻值检测电路还包括限流电阻、隔离开关,所述限流电阻串联于所述供电变压器的二次绕组与所述检测变压器的低压绕组构成的回路上;所述隔离开关串联于检测变压器的高压绕组与所述硅芯之间。
在可选的实施方式中,所述隔离开关为接触器或断路器。
在可选的实施方式中,所述检测开关为继电器或接触器。
第二方面,本发明提供一种硅芯阻值检测方法,应用于前述实施方式所述的硅芯阻值检测电路,所述方法包括:
所述控制单元控制所述检测开关闭合;
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