[发明专利]一种机械加工用晶圆划片装置及其使用方法在审

专利信息
申请号: 202110845990.9 申请日: 2021-07-26
公开(公告)号: CN113571453A 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 郭光立;魏德印 申请(专利权)人: 郑州工业应用技术学院
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/78
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 451100 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 机械 工用 划片 装置 及其 使用方法
【说明书】:

发明公开了一种机械加工用晶圆划片装置及其使用方法,包括底座,所述底座顶部中央设置有调整机构,所述底座顶部前端一侧通过螺钉连接有控制面板,所述调整机构包括纵向直线滑轨副、横向直线滑轨副、放置盘,所述纵向直线滑轨副顶部设置有所述横向直线滑轨副。本发明可以通过纵向直线滑轨副的横向移动,横向直线滑轨副的纵向移动,以及配合对正设备本体,实现了晶圆对正的功能,环形刻度和让位孔的设置方便了晶圆最初的放置,进而方便了晶圆的对正工作;可以通过夹紧组件对晶圆进行固定以及带动晶圆转动,并配合上下同步移动的划片组件快速的完成对晶圆双面进行划片,不仅提高了划片的效率,还能够保证正反面划片的深度相同。

技术领域

本发明涉及机械加工技术领域,特别是涉及一种机械加工用晶圆划片装置及其使用方法。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆,在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能的IC产品,晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅,二氧化硅矿石经由电弧炉提炼、盐酸氯化、并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,晶圆在加工过程中,需要对其进行划片处理,目前现有的晶圆划片设备存在以下不足:1、晶圆最初的放置随意性较大,影响后续晶圆的对正工作;2、每次只能对晶圆的一个表面进行划片处理,导致正反面划片的深度难以控制,增加了后期打磨的工作。

发明内容

本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种机械加工用晶圆划片装置及其使用方法。

本发明通过以下技术方案来实现上述目的:

一种机械加工用晶圆划片装置,包括底座,所述底座顶部中央设置有调整机构,所述底座顶部前端一侧通过螺钉连接有控制面板,所述调整机构包括纵向直线滑轨副、横向直线滑轨副、放置盘,所述纵向直线滑轨副顶部设置有所述横向直线滑轨副,所述横向直线滑轨副顶部通过螺栓连接有所述放置盘,所述放置盘顶部中央开设有让位孔,所述放置盘顶部蚀刻有若干个与所述让位孔同心的环形刻度,所述放置盘一侧开设有上下贯穿所述放置盘的让位槽,且所述让位槽与所述让位孔连通,这样设置可以通过纵向直线滑轨副的横向移动,横向直线滑轨副的纵向移动,以及配合对正设备本体,实现了晶圆对正的功能,环形刻度和让位孔的设置方便了晶圆最初的放置,进而方便了晶圆的对正工作,所述调整机构后方设置有夹持机构,所述夹持机构包括第一支撑板,所述第一支撑板焊接在所述底座顶部后端,所述第一支撑板的立板前端设置有驱动晶圆转动的夹紧组件,所述第一支撑板的顶板下方设置有对正设备本体,所述调整机构一侧设置有划片机构,所述划片机构包括第二支撑板、气缸、推板、第二稳定杆,所述第二支撑板焊接在所述底座顶部一侧,所述第二支撑板远离所述调整机构的一侧通过螺栓连接有所述气缸,所述气缸的输出端穿过所述第二支撑板,且通过螺栓连接有所述推板,所述推板靠近所述气缸的一侧顶部通过螺栓连接有所述第二稳定杆,所述第二稳定杆远离所述推板的一端穿过所述第二支撑板,且与所述第二支撑板滑动连接,所述推板靠近所述调整机构的一侧设置有上下同步移动的划片组件,这样设置可以通过夹紧组件对晶圆进行固定以及带动晶圆转动,并配合上下同步移动的划片组件快速的完成对晶圆双面进行划片,不仅提高了划片的效率,还能够保证正反面划片的深度相同。

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