[发明专利]半导体器件和包括其的数据存储系统

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

外围电路结构，所述外围电路结构包括第一衬底和位于所述第一衬底上的有源电路或无源电路；

存储单元结构，所述存储单元结构包括：第二衬底，所述第二衬底位于所述外围电路结构上并且具有第一区域和第二区域；栅电极，所述栅电极在所述第一区域上彼此间隔开地在第一方向上堆叠，并且在第二方向上延伸到所述第二区域上以具有阶梯形状；层间绝缘层，所述层间绝缘层与所述栅电极交替地堆叠；沟道结构，所述沟道结构穿过所述栅电极，所述沟道结构在所述第一方向上延伸，每个所述沟道结构包括沟道层；以及分隔区域，所述分隔区域穿过所述栅电极，所述分隔区域在所述第二方向上延伸并且在第三方向上彼此间隔开；

贯穿布线区域，所述贯穿布线区域包括：牺牲绝缘层，所述牺牲绝缘层在所述第二区域中与所述栅电极共线并且与所述层间绝缘层交替地堆叠；以及贯穿接触插塞，所述贯穿接触插塞将所述栅电极与所述有源电路或无源电路电连接；以及

阻挡结构，所述阻挡结构包围所述贯穿布线区域并且具有包括突起的内部侧表面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阻挡结构的外部侧表面接触所述栅电极，并且所述阻挡结构的所述内部侧表面接触所述牺牲绝缘层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阻挡结构以第一宽度延伸，并且在所述突起处具有大于所述第一宽度的第二宽度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二宽度为所述第一宽度的1.3倍至2.5倍。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二宽度为180nm至300nm。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阻挡结构具有在所述第二方向上延伸的第一水平区域和在所述第三方向上延伸的第二水平区域，并且所述第一水平区域和所述第二水平区域形成单个闭合曲线。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，在所述第一水平区域中，每个所述突起在所述第三方向上突出，并且在所述第二水平区域中，每个所述突起在所述第二方向上突出。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一水平区域与所述分隔区域共线。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，每个所述突起具有半圆形状、四边形形状或三角形形状中的一种。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阻挡结构的外部侧表面是基本上平坦的。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阻挡结构具有多个缝隙，每个所述缝隙位于与相应的所述突起相邻的区域中，所述多个缝隙彼此分开。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阻挡结构的外部侧表面具有在与所述阻挡结构的所述内部侧表面的所述突起相反的方向上突出的外部突起。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阻挡结构包括第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层，所述第一阻挡层、所述第二阻挡层和所述第三阻挡层沿着所述阻挡结构的侧表面和底表面顺序地堆叠，所述第一阻挡层的材料不同于所述第二阻挡层的材料也不同于所述第三阻挡层的材料，所述第二阻挡层的材料不同于所述第一阻挡层的材料也不同于所述第三阻挡层的材料，并且所述第三阻挡层的材料不同于所述第一阻挡层的材料也不同于所述第二阻挡层的材料，并且

所述第一阻挡层包括与所述牺牲绝缘层的材料不同的材料。