[发明专利]一种低介电常数高熵薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种低介电常数高熵薄膜，其特征在于，包括：SrTiO₃基片、置于SrTiO₃基片表面的La_0.7Sr_0.3MnO₃缓冲层以及设置于La_0.7Sr_0.3MnO₃缓冲层表面的Ba(Zr_0.2Sn_0.2Ti_0.2Hf_0.2Me_0.2)O₃薄膜，Me为Nb离子。

2.根据权利要求1所述的一种低介电常数高熵薄膜，其特征在于，La_0.7Sr_0.3MnO₃缓冲层的厚度范围为50~60nm，Ba(Zr_0.2Sn_0.2Ti_0.2Hf_0.2Me_0.2)O₃薄膜的厚度范围为100~400nm。

3.根据权利要求1所述的一种低介电常数高熵薄膜，其特征在于，SrTiO₃基片采用（001）取向生长的单晶SrTiO₃基片。

4.一种低介电常数高熵薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下过程：

在SrTiO₃基片的表面制备La_0.7Sr_0.3MnO₃缓冲层，在缓冲层表面制备Ba(Zr_0.2Sn_0.2Ti_0.2Hf_0.2Me_0.2)O₃薄膜，得到所述低介电常数高熵薄膜，Me为Nb离子。

5.根据权利要求4所述的一种低介电常数高熵薄膜的制备方法，其特征在于，La_0.7Sr_0.3MnO₃缓冲层和Ba(Zr_0.2Sn_0.2Ti_0.2Hf_0.2Me_0.2)O₃薄膜均通过磁控溅射的方法制备而成，Ba(Zr_0.2Sn_0.2Ti_0.2Hf_0.2Me_0.2)O₃薄膜后进行退火，得到所述低介电常数高熵薄膜。