[发明专利]一种化学蚀刻减薄FeNi合金箔带的方法有效
申请号: | 202110847470.1 | 申请日: | 2021-07-26 |
公开(公告)号: | CN113388836B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 张青科;宋振纶;杨丽景;胡方勤;姜建军;郑必长 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | C23F1/28 | 分类号: | C23F1/28;C23G1/19 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 化学 蚀刻 feni 金箔 方法 | ||
本发明公开了一种化学蚀刻减薄FeNi合金箔带的方法,包括:对FeNi合金薄板进行预处理,之后以蚀刻液均匀喷淋所述FeNi合金薄板,以将所述FeNi合金薄板蚀刻减薄形成FeNi合金箔带,其后对所述FeNi合金箔带进行后处理;其中,所述蚀刻液包括FeClsubgt;3/subgt;、HCl和水。本发明工艺简单易操作,不仅可以进一步快速、均匀地降低FeNi合金薄板的厚度,还可以去除其表面的轧制硬化层,降低其内部塑性应变和残余应力,从而抑制蚀刻减材时的变形,有效改善FeNi合金箔带的柔性,显著提升掩膜版制造的成品率,且无需进行后期处理。本发明的方法适用于各种成分、尺寸与厚度的FeNi合金薄板,所获FeNi合金箔带厚度均匀、表面粗糙度低。
技术领域
本发明涉及一种FeNi合金箔带的减薄方法,具体涉及一种化学蚀刻减薄FeNi合金箔带的方法,属于有色金属箔材加工领域。
背景技术
FeNi合金箔带由于其良好的加工性能和极低的热膨胀系数,是目前用于制备OLED蒸镀用掩膜版的优选材料。随着OLED分辨率的提高,要求掩膜版上的孔尺寸和间距更小,因此要求掩膜版材料的厚度更小,目前希望的最小厚度为15μm。然而,以目前的精密轧制工艺,获得厚度20~30μm的薄板已是极限,且轧制过程易在薄板表面形成条纹等缺陷,并在板带内部产生内应力,进一步减材时易变形,影响后续的蚀刻加工。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种化学蚀刻减薄FeNi合金箔带的方法,以克服现有技术的不足。
为实现前述发明目的,本发明采用的技术方案包括:
本发明实施例提供的一种化学蚀刻减薄FeNi合金箔带的方法包括:对FeNi合金薄板进行预处理,之后以蚀刻液均匀喷淋所述FeNi合金薄板,以将所述FeNi合金薄板蚀刻减薄形成FeNi合金箔带,其后对所述FeNi合金箔带进行后处理;其中,所述蚀刻液包括FeCl3、HCl和水
较之现有技术,本发明提供的化学蚀刻减薄FeNi合金箔带的方法通过整体非保护均匀喷淋蚀刻,实现对FeNi合金薄板的均匀减薄,工艺简单易操作,不仅可以进一步快速、均匀地降低FeNi合金薄板的厚度,还可以去除其表面的轧制硬化层,降低其内部塑性应变和残余应力,从而抑制蚀刻减材时的变形,有效改善FeNi合金箔带的柔性,显著提升掩膜版制造的成品率,且无需进行后期处理。本发明的方法适用于各种成分、尺寸与厚度的FeNi合金薄板,特别是大面积的FeNi合金薄板,所获FeNi合金箔带厚度均匀并可低至10μm、表面粗糙度低(Ra为0.15~0.3)。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图做简单的介绍。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是示例性的,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图引申获得其他的实施附图。
图1是实施例1中厚度为50μm的FeNi合金箔带的蚀刻表面形貌;
图2是实施例2中厚度为25μm的FeNi合金箔带的蚀刻表面形貌;
图3是实施例3中厚度为20μm的FeNi合金箔带的蚀刻表面形貌;
图4是实施例4中厚度为15μm的FeNi合金箔带的蚀刻表面形貌;
图5是实施例5中厚度为10μm的FeNi合金箔带的蚀刻表面形貌;
图6是实施例5中厚度为10μm的FeNi合金箔带经蚀刻后的截面形貌。
具体实施方式
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