[发明专利]基准电压源电路

权利要求书

1.一种基准电压源电路，其特征在于，所述基准电压源电路包括：偏置模块及基准产生模块，其中，

所述偏置模块为所述基准产生模块提供三个偏置电流；

所述基准产生模块利用NMOS管在亚阈值区的阈值电压具有负温度系数及耗尽管的栅极到源极的绝对值具有正温度系数来产生并输出零温漂的基准电压；

所述基准产生模块包括：下拉电流单元及电压产生单元，所述下拉电流单元为所述电压产生单元提供下拉电流；所述电压产生单元利用NMOS管在亚阈值区的阈值电压具有负温度系数及耗尽管的栅极到源极的绝对值具有正温度系数来产生所述基准电压；其中，所述电压产生单元包括：第三NMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第二耗尽管、第三耗尽管及第四耗尽管，所述第三NMOS管的漏极连接所述第二耗尽管的栅极并连接三个偏置电流中的第二偏置电流，所述第三NMOS管的栅极连接其漏极并连接所述第三耗尽管的栅极，所述第三NMOS管的源极连接所述第三耗尽管的漏极，所述第三耗尽管的源极接地，所述第九PMOS管的源极连接所述第四耗尽管的栅极并连接三个偏置电流中的第三偏置电流，所述第九PMOS管的栅极连接其漏极并连接所述第十PMOS管的源极，所述第十PMOS管的漏极接地，所述第十PMOS管的栅极连接所述第二耗尽管的源极并产生所述基准电压，所述第二耗尽管的漏极连接所述第四耗尽管的源极，所述第四耗尽管的漏极连接工作电压。

2.根据权利要求1所述的基准电压源电路，其特征在于，所述偏置模块包括：电流产生单元及电流镜像单元，其中，

所述电流产生单元利用接地的耗尽管下拉固定电流来产生初始电流；

所述电流镜像单元对所述初始电流进行电流镜像以产生三个偏置电流。

3.根据权利要求2所述的基准电压源电路，其特征在于，所述电流产生单元包括：第一耗尽管及电阻，所述第一耗尽管的栅极及源极均接地，所述第一耗尽管的漏极连接所述电阻的一端，所述电阻的另一端产生所述初始电流。

4.根据权利要求3所述的基准电压源电路，其特征在于，所述电流镜像单元包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管及第四PMOS管，所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管及所述第四PMOS管的源极均连接工作电压，所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管及所述第四PMOS管的栅极均连接所述初始电流，所述第一PMOS管的漏极连接所述初始电流，所述第二PMOS管、所述第三PMOS管及所述第四PMOS管的漏极对应产生三个偏置电流。

5.根据权利要求3所述的基准电压源电路，其特征在于，所述电流镜像单元包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管及第八PMOS管，所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管及所述第四PMOS管的源极均连接工作电压，所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管及所述第四PMOS管的栅极均连接所述初始电流，所述第一PMOS管的漏极连接所述第五PMOS管的源极，所述第二PMOS管的漏极连接所述第六PMOS管的源极，所述第三PMOS管的漏极连接所述第七PMOS管的源极，所述第四PMOS管的漏极连接所述第八PMOS管的源极，所述第五PMOS管、所述第六PMOS管、所述第七PMOS管及所述第八PMOS管的栅极均连接所述第一耗尽管的漏极，所述第五PMOS管的漏极连接所述初始电流，所述第六PMOS管、所述第七PMOS管及所述第八PMOS管的漏极对应产生三个偏置电流。

6.根据权利要求1所述的基准电压源电路，其特征在于，所述下拉电流单元包括：第一NMOS管及第二NMOS管，所述第一NMOS管及所述第二NMOS管的源极均接地，所述第一NMOS管的漏极连接三个偏置电流中的第一偏置电流，所述第一NMOS管的栅极连接其漏极并连接所述第二NMOS管的栅极，所述第二NMOS管的漏极连接所述基准电压。

7.根据权利要求1所述基准电压源电路，其特征在于，采用NMOS管替换所述第三耗尽管，所述NMOS管的栅极连接所述三NMOS管的栅极，所述NMOS管的漏极连接所述第三NMOS管的源极，所述NMOS管的源极接地；其中，所述NMOS管的尺寸小于所述第三NMOS管的尺寸。