[发明专利]基准电压源电路

说明书

本发明提供一种基准电压源电路，所述基准电压源电路包括：偏置模块及基准产生模块，其中，所述偏置模块为所述基准产生模块提供三个偏置电流；所述基准产生模块利用NMOS管在亚阈值区的阈值电压具有负温度系数及耗尽管的栅极到源极的绝对值具有正温度系数来产生并输出零温漂的基准电压。通过本发明提供的基准电压源电路，解决了现有采用BJT器件设计的基准电压源电路无法在低功耗下持续工作的问题。

技术领域

本发明属于集成电路设计领域，特别是涉及一种基准电压源电路。

背景技术

现有芯片中，通常利用BJT（BJT：双极结型晶体管）器件的VBE（基极-发射极电压）具有负温度系数及基极-发射极的差值与绝对温度成正比的特性来设计基准电压，其工作电流是uA级别。而在现有的低功耗芯片中，低功耗下静态电流一般低于1uA，那么这种基准电压的电路就无法在低功耗下持续工作。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种基准电压源电路，用于解决现有采用BJT器件设计的基准电压源电路无法在低功耗下持续工作的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种基准电压源电路，所述基准电压源电路包括：偏置模块及基准产生模块，其中，

所述偏置模块为所述基准产生模块提供三个偏置电流；

所述基准产生模块利用NMOS管在亚阈值区的阈值电压具有负温度系数及耗尽管的栅极到源极的绝对值具有正温度系数来产生并输出零温漂的基准电压。

可选地，所述偏置模块包括：电流产生单元及电流镜像单元，其中，

所述电流产生单元利用接地的耗尽管下拉固定电流来产生初始电流；

所述电流镜像单元对所述初始电流进行电流镜像以产生三个偏置电流。

可选地，所述电流产生单元包括：第一耗尽管及电阻，所述第一耗尽管的栅极及源极均接地，所述第一耗尽管的漏极连接所述电阻的一端，所述电阻的另一端产生所述初始电流。

可选地，所述电流镜像单元包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管及第四PMOS管，所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管及所述第四PMOS管的源极均连接工作电压，所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管及所述第四PMOS管的栅极均连接所述初始电流，所述第一PMOS管的漏极连接所述初始电流，所述第二PMOS管、所述第三PMOS管及所述第四PMOS管的漏极对应产生三个偏置电流。

可选地，所述电流镜像单元包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管及第八PMOS管，所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管及所述第四PMOS管的源极均连接工作电压，所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管及所述第四PMOS管的栅极均连接所述初始电流，所述第一PMOS管的漏极连接所述第五PMOS管的源极，所述第二PMOS管的漏极连接所述第六PMOS管的源极，所述第三PMOS管的漏极连接所述第七PMOS管的源极，所述第四PMOS管的漏极连接所述第八PMOS管的源极，所述第五PMOS管、所述第六PMOS管、所述第七PMOS管及所述第八PMOS管的栅极均连接所述第一耗尽管的漏极，所述第五PMOS管的漏极连接所述初始电流，所述第六PMOS管、所述第七PMOS管及所述第八PMOS管的漏极对应产生三个偏置电流。

可选地，所述基准产生模块包括：下拉电流单元及电压产生单元，其中，

所述下拉电流单元为所述电压产生单元提供下拉电流；

所述电压产生单元利用NMOS管在亚阈值区的阈值电压具有负温度系数及耗尽管的栅极到源极的绝对值具有正温度系数来产生所述基准电压。